[实用新型]有源区域结构有效
申请号: | 202022016048.5 | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN213026126U | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 林刚毅 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 霍文娟 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 区域 结构 | ||
1.一种有源区域结构,其特征在于,包含:
多个封闭图案有源区位于一衬底上,多个所述封闭图案有源区彼此之间相互接触,并组成一封闭图案,其中所述封闭图案的第一边界沿着一水平方向延伸,所述封闭图案的第二边界沿着一垂直方向延伸。
2.根据权利要求1所述的有源区域结构,其特征在于,还包含多个斜向组件单元位于所述封闭图案内,其中多个所述斜向组件单元不接触所述封闭图案,其中多个所述斜向组件单元沿着一第一方向排列,其中所述第一方向不同于所述水平方向和所述垂直方向。
3.根据权利要求2所述的有源区域结构,其特征在于,所述封闭图案包含所述第一边界、所述第二边界以及沿着所述第一方向延伸的一第三边界。
4.根据权利要求1所述的有源区域结构,其特征在于,至少有一个所述封闭图案有源区包含六角以上的不规则多边形。
5.根据权利要求2所述的有源区域结构,其特征在于,所述封闭图案具有不同的宽度,其中最大的宽度大于所述斜向组件单元的短边宽度的1.3倍且不大于所述短边宽度的2倍。
6.一种有源区域结构,其特征在于,包含:
一个封闭图案有源区位于一衬底上,所述封闭图案包含:
一封闭的边缘部分,以及多个斜向组件单元位于所述封闭的边缘部分内的区域中,多个所述斜向组件单元沿着一第一方向排列;以及
至少一分支结构结构,接触所述封闭图案有源区边缘部分,并且向所述封闭图案有源区内部延伸;所述分支结构包含一第一部分以及一第二部分,所述第一部分沿着所述第一方向排列,所述第二部分沿着不同于所述第一方向的一第二方向排列。
7.根据权利要求6所述的有源区域结构,其特征在于,所述封闭的边缘部分内,还包含至少一封闭子图案。
8.根据权利要求6所述的有源区域结构,其特征在于,所述封闭图案的一第一边界沿着一水平方向延伸,所述封闭图案的一第二边界沿着一垂直方向延伸,所述封闭图案的一第三边界沿着所述第一方向延伸。
9.根据权利要求6所述的有源区域结构,其特征在于,所述封闭的边缘部分具有不同的宽度,其中最大的宽度位于所述分支结构与所述封闭的边缘部分的交接处。
10.根据权利要求6所述的有源区域结构,其特征在于,所述分支结构的所述第一部分与所述第二部分的长度不相同。
11.根据权利要求10所述的有源区域结构,其特征在于,沿着所述第一方向排列的所述分支结构的长度是沿着所述第二方向排列的所述分支结构的长度的2至8倍。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的