[实用新型]用于光伏组件的高反射金属网及其构成的光伏组件有效
申请号: | 202022018824.5 | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN212848448U | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 张雨军;陶爱兵;张欢欢;沈佳;张国明 | 申请(专利权)人: | 苏州携创新能源科技有限公司;无锡携创新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/048 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 过顾佳;聂启新 |
地址: | 215127 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 组件 反射 金属网 及其 构成 | ||
本实用新型公开了一种用于光伏组件的高反射金属网及其构成的光伏组件,涉及光伏技术领域,该高反射金属网中位于预定区域处的金属线的截面的底部呈扁平状、上部具有光反射角,高反射金属网的预定区域对应高反射金属网配合使用的电池片的正面区域,金属线的截面的底部是金属线接触电池片正面的一侧,本申请的这种高反射金属网与电池片的接触面有更大的焊接面积,可以提高焊接强度和焊接良率,而上部的光反射角可以将入射到金属网上的太阳光折射到电池片上,提高电池片的发电效率,从而可以提升使用该高反射金属网的光伏组件的可靠性性能指标和发电量。
技术领域
本实用新型涉及光伏技术领域,尤其是一种用于光伏组件的高反射金属网及其构成的光伏组件。
背景技术
随着能源价格的上涨,开发利用新能源成为当今能源领域研究的主要课题。由于太阳能具有无污染、无地域性限制、取之不竭等优点,研究太阳能发电成为开发利用新能源的主要方向。利用太阳能电池发电是当今人们使用太阳能的一种主要方式,推动组件的高转换效率,推动组件的制造成本持续降低,推动组件的性能提升,这是行业的发展必然趋势。
目前常规的光伏电池片采用2个主栅线到9个主栅线设计,也有的组件厂设计到12根主栅线,行业称为MBB电池片。为了能够的得到更高的发电效率,无主栅电池及无主栅金属网焊带技术将越来越多的应用于晶体硅光伏组件,但是此设计金属网直接焊接于电池片的细栅线上,金属网是圆形,焊接面积比较小,容易发生焊接不良的现象,对焊接工艺是一个大的考验。
实用新型内容
本发明人针对上述问题及技术需求,提出了一种用于光伏组件的高反射金属网及其构成的光伏组件,本实用新型的技术方案如下:
一种用于光伏组件的高反射金属网,该高反射金属网包括若干根间隔平行设置的横向金属线和若干根间隔平行设置的纵向金属线,若干根横向金属线和若干根纵向金属线相互垂直交叉设置形成网状结构,高反射金属网中位于预定区域处的横向金属线和纵向金属线的截面的底部呈扁平状、上部具有光反射角,高反射金属网的纵向金属线底面与电池片的正面区域的栅线焊接,预定区域为电池片正面区域。
其进一步的技术方案为,高反射金属网中位于预定区域处的横向金属线和纵向金属线的截面为三角形或半圆形。
其进一步的技术方案为,高反射金属网中位于两块电池片之间间隙区域的纵向金属线或者位于两块电池片交叠区域的纵向金属线压延成扁平状。
其进一步的技术方案为,当高反射金属网配合使用的电池片为单面电池片时,高反射金属网中位于对应电池片的背面的区域中的横向金属线和纵向金属线压延成扁平状。
其进一步的技术方案为,当高反射金属网配合使用的电池片为双面电池片时,高反射金属网中位于对应电池片的背面的区域中的横向金属线和纵向金属线压延成扁平状,或者,高反射金属网中位于对应电池片的背面的区域中的横向金属线和纵向金属线接触电池片背面的底部一侧呈扁平状、上部具有光反射角。
其进一步的技术方案为,高反射金属网的纵向金属线的基材为铜线且外部镀有锡铅、电镀或者镀锡。高反射金属网的横向金属线的基材为铜丝或钢丝,当基材为钢丝时,其表面进行镀铜后再镀锡铅。
一种基于高反射金属网的光伏组件,该光伏组件包括正面保护层、电池层、背面保护层、胶膜层以及接线盒,正面保护层、电池层和背面保护层从上至下依次层叠,胶膜层填充在电池层两侧、对电池层形成包裹并将正面保护层和背面保护层粘接成一个整体;电池层包括如本申请公开的高反射金属网以及与高反射金属网配合使用的电池片,高反射金属网铺设在电池片上,待连接的两个电池片中的一个电池片的正面与高反射金属网的预定区域的纵向金属线的扁平状的底部接触并焊接在一起、另一个电池片的背面与高反射金属网的纵向金属线接触并焊接在一起。
其进一步的技术方案为,与高反射金属网配合使用的电池片的正面仅设置有细栅线,高反射金属网的预定区域的纵向金属线与电池片的正面的细栅线交叉焊接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的