[实用新型]电子设备的过流保护电路及电子设备有效
申请号: | 202022022081.9 | 申请日: | 2020-09-16 |
公开(公告)号: | CN213846222U | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 王赛 | 申请(专利权)人: | 上海闻泰信息技术有限公司 |
主分类号: | H02H3/08 | 分类号: | H02H3/08;H02H3/02;H02H5/04 |
代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人: | 梁秀秀 |
地址: | 200333 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 保护 电路 | ||
1.一种电子设备的过流保护电路,其特征在于,包括控制模块、第一开关模块、第二开关模块、第一电阻、三极管及第二电阻;所述控制模块的控制引脚连接所述第一开关模块的第一端,所述第一开关模块的第二端接地,所述第一开关模块的第三端连接所述第二开关模块的第一端,所述第二开关模块的第二端连接所述第一电阻的第一端,所述第一电阻的第二端引出电压输入端,且所述电压输入端连接电子设备的供电模块,所述第二开关模块的第三端引出电压输出端,且所述电压输出端连接所述电子设备的用电模块;所述三极管的基极连接所述第一电阻的第一端,所述三极管的发射极连接所述第一电阻的第二端,所述三极管的集电极连接所述第二开关模块的第一端;所述第二电阻的第一端连接所述第二开关模块的第一端,所述第二电阻的第二端连接所述第二开关模块的第二端;
当所述控制引脚输出导通信号时,所述第一开关模块导通,所述第二开关模块导通,所述供电模块通过所述第一电阻及所述第二开关模块为所述用电模块供电;当流过所述第一电阻的电流大于或等于预设的电流阈值时,所述第一电阻两端的电压大于或等于所述三极管的导通电压,所述三极管导通,所述第二电阻短路,所述第二开关模块断开,进而关断所述电压输出端的电压输出。
2.如权利要求1所述的电子设备的过流保护电路,其特征在于,所述控制模块还包括第一检测引脚及第二检测引脚;所述第一检测引脚连接第一热敏电阻后接地,所述第一热敏电阻设置于靠近所述第一电阻及/或所述三极管的位置,所述第一热敏电阻用于感测所述第一电阻及/或所述三极管的温度;所述第二检测引脚连接第二热敏电阻后接地,所述第二热敏电阻用于感测环境温度;
当所述第一检测引脚感测的温度值与所述第二检测引脚感测的环境温度值的差值大于或等于预设值时,所述控制引脚输出关断信号,所述第一开关模块断开,所述第二开关模块断开,进而关断所述电压输出端的电压输出。
3.如权利要求1所述的电子设备的过流保护电路,其特征在于,所述第一开关模块为N型MOS管,所述N型MOS管的栅极为所述第一开关模块的第一端,所述N型MOS管的源极为所述第一开关模块的第二端,所述N型MOS管的漏极为所述第一开关模块的第三端;所述第二开关模块为P型MOS管,所述P型MOS管的栅极为所述第二开关模块的第一端,所述P型MOS管的源极为所述第二开关模块的第二端,所述P型MOS管的漏极为所述第二开关模块的第三端;所述三极管为PNP型三极管。
4.如权利要求3所述的电子设备的过流保护电路,其特征在于,所述P型MOS管的栅极还连接第三MOS管,所述P型MOS管的栅极连接所述第三MOS管的栅极,所述第三MOS管的源极接地,所述第三MOS管的漏极通过第三电阻连接所述P型MOS管的漏极。
5.如权利要求3所述的电子设备的过流保护电路,其特征在于,所述N型MOS管的漏极与所述P型MOS管的栅极之间还连接有第四电阻。
6.如权利要求3所述的电子设备的过流保护电路,其特征在于,所述N型MOS管的栅极与所述控制引脚之间连接有第五电阻,所述N型MOS管的栅极还通过第六电阻接地。
7.如权利要求3所述的电子设备的过流保护电路,其特征在于,所述电压输入端还连接第一电容后接地,所述电压输出端还连接第二电容后接地。
8.如权利要求2所述的电子设备的过流保护电路,其特征在于,所述第一热敏电阻及所述第二热敏电阻为NTC热敏电阻。
9.如权利要求1所述的电子设备的过流保护电路,其特征在于,所述控制模块为CPU。
10.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1-9任意一项所述的电子设备的过流保护电路。
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