[实用新型]非制冷红外探测器的自热补偿电路及非制冷红外探测器有效
申请号: | 202022032162.7 | 申请日: | 2020-09-16 |
公开(公告)号: | CN213021621U | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 魏斌;翟光杰;潘辉;武佩 | 申请(专利权)人: | 北京北方高业科技有限公司 |
主分类号: | G01D5/14 | 分类号: | G01D5/14;G01D5/26;G05F1/567 |
代理公司: | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人: | 安伟 |
地址: | 100070 北京市丰台*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制冷 红外探测器 补偿 电路 | ||
1.一种非制冷红外探测器的自热补偿电路,其特征在于,包括:
行控制电路,包括镜像像元和行控制开关,所述行控制电路用于根据所述行控制开关的选通状态生成行控制信号;
偏压电路,包括第一偏压电路和第二偏压电路,所述第一偏压电路用于根据第一设定电源信号生成第一偏压信号,所述第二偏压电路包括偏压控制子电路和多个选通驱动子电路,所述偏压控制子电路用于根据所述行控制信号控制所述选通驱动子电路分别产生对应的第二偏压信号;
列控制电路,包括多个列控制子电路,所述列控制子电路与所述选通驱动子电路对应设置,所述选通驱动子电路用于根据其自身的选通状态向对应的所述列控制子电路提供所述第二偏压信号;
所述列控制子电路包括有效像元和盲像元,所述列控制子电路用于根据所述第一偏压信号和所述盲像元产生第一电流,以及根据所述第二偏压信号和所述有效像元产生第二电流,并对所述第一电流与所述第二电流的差值进行跨阻放大后输出;其中,所述镜像像元与所述有效像元在相同环境温度下的温度漂移量相同。
2.根据权利要求1所述的非制冷红外探测器的自热补偿电路,其特征在于,所述第一偏压电路包括:
第一电流镜、第二电流镜、第一镜像盲像元、第二镜像盲像元和第一放大器,所述第一电流镜分别与所述第二电流镜、所述第一镜像盲像元、所述第二镜像盲像元和所述第一放大器连接,所述第一放大器与所述第一镜像盲像元连接,所述第二电流镜与所述第二偏压电路连接,所述第一电流镜用于输出所述第一偏压信号。
3.根据权利要求2所述的非制冷红外探测器的自热补偿电路,其特征在于,所述第一电流镜包括:
第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的控制端与所述第二晶体管的控制端连接并用于输出所述第一偏压信号,所述第一晶体管的第一端通过所述第一镜像盲像元接入第二设定电源信号,所述第二晶体管的第一端通过所述第二镜像盲像元接入所述第二设定电源信号,所述第二晶体管的第二端与所述行控制电路连接;
所述第一放大器的同相端接入所述第一设定电源信号,所述第一放大器的反相端与所述第一晶体管的第一端连接,所述第一放大器的输出端与所述第一晶体管的控制端连接;
所述第二电流镜包括:
第三晶体管和第四晶体管,所述第三晶体管的控制端与所述第四晶体管的控制端连接,所述第三晶体管的第一端与所述第四晶体管的第一端接入第三设定电源信号,所述第三晶体管的第二端与所述第一晶体管的第二端连接,所述第四晶体管的第二端与所述第二偏压电路连接。
4.根据权利要求1所述的非制冷红外探测器的自热补偿电路,其特征在于,所述偏压控制子电路包括:
第二放大器、第一源跟随结构和第五晶体管,所述第二放大器分别与所述行控制电路、所述第一偏压电路、所述第一源跟随结构以及所述多个选通驱动子电路连接,所述第五晶体管分别与所述第一源跟随结构和所述第一偏压电路连接。
5.根据权利要求4所述的非制冷红外探测器的自热补偿电路,其特征在于,所述第一源跟随结构包括第六晶体管和第一电流源;
所述第二放大器的同相端与所述行控制电路和所述第一偏压电路的串联节点连接,所述第二放大器的输出端与所述第六晶体管的控制端以及所述多个选通驱动子电路连接;
所述第六晶体管的第一端通过所述第一电流源接入第四设定电源信号,所述第六晶体管的第二端接入第三设定电源信号;
所述第五晶体管的控制端与所述第六晶体管的第一端连接,所述第五晶体管的第一端分别与所述第二放大器的反相端以及所述第一偏压电路连接,所述第五晶体管的第二端接入所述第四设定电源信号。
6.根据权利要求4或5所述的非制冷红外探测器的自热补偿电路,其特征在于,所述选通驱动子电路包括:
选通开关和第二源跟随结构,所述选通开关的第一端与所述第二放大器的输出端连接,所述第二源跟随结构分别与所述选通开关的第二端以及对应的所述列控制子电路连接,所述第二源跟随结构用于向对应的所述列控制子电路提供所述第二偏压信号。
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