[实用新型]一种异形籽晶及高质量氮化铝晶体

权利要求书

1.一种异形籽晶，用于悬挂于籽晶架上进行氮化铝晶体的外延生长，其特征在于，所述异形籽晶包括底端悬挂部、中间衔接部和顶端外延部，当其悬挂于籽晶架上时，所述底端悬挂部的下表面完全覆盖籽晶架的内孔，所述顶端外延部位于籽晶架下方，并通过位于籽晶架内孔中的中间衔接部连接底端悬挂部，所述顶端外延部的顶面为氮化铝晶体生长表面。

2.如权利要求1所述的异形籽晶，其特征在于，所述顶端外延部的最大截面面积大于或等于中间衔接部的最大截面面积。

3.如权利要求2所述的异形籽晶，其特征在于，所述底端悬挂部最大部分的截面在籽晶架上的投影完全覆盖籽晶架内孔。

4.如权利要求1-3任一项所述的异形籽晶，其特征在于，所述顶端外延部的顶面呈圆形，且直径小于坩埚顶部内径。

5.如权利要求1-3任一项所述的异形籽晶，其特征在于，所述异形籽晶为碳化硅、蓝宝石或氮化铝、氮化镓块状衬底材料，或是外延有III族氮化物半导体薄膜的块状衬底材料。

6.如权利要求1-3任一项所述的异形籽晶，其特征在于，所述顶端外延部的顶面为经过研磨和化学机械抛光的低粗糙度光滑表面。

7.一种高质量氮化铝晶体，其特征在于，所述氮化铝晶体基于如权利要求1-6任一项所述的异形籽晶，通过物理气相传输法生长制成。