[实用新型]一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构有效
申请号: | 202022040706.4 | 申请日: | 2020-09-17 |
公开(公告)号: | CN211897168U | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 金胜;薛建云;施红亮;邱风 | 申请(专利权)人: | 新疆登博新能源有限公司 |
主分类号: | C30B28/14 | 分类号: | C30B28/14;C30B29/06;C01B33/035 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 孟阿妮;张小勇 |
地址: | 830000 新疆维吾尔自治区昌吉回族自治州昌吉市高新*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅芯棒 用于 多晶 生长 结构 | ||
本实用新型公开了一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构,包括两个竖硅芯棒和横硅芯棒,所述横硅芯棒的下表面左右两侧均设有开槽一,两个所述开槽一相背对的表面上部连接有卡板,两个所述竖硅芯棒相对的表面上均设有与所述卡板配合使用的卡板槽,所述开槽二与所述卡板槽贯通设置,两个所述开槽二相对的表面上设有卡块,所述横硅芯棒的上表面左右两侧均设有配合所述卡块使用的卡块槽,可以使硅芯结构的连接十分方便,而且无需使用钼丝绑接,就不必将多晶硅包裹着的钼丝去除,方便工作人员的处理,而且使硅芯结构之间的接触十分稳定,有利于减少衔接处的电阻,使反应更好的进行,既避免局部过热的情况发生,又能有效防止倒棒。
技术领域
本实用新型涉及多晶硅生产技术领域,具体领域为一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构。
背景技术
在多晶硅的生产过程中需要通过高纯氢将高纯度的三氯氢硅还原,还原过程以高纯度硅芯棒作为载体,并将高纯度硅芯棒加热到反应温度,使多晶硅在硅芯棒内生成并沉积,而且生产过程中还需要将多个硅芯棒搭接起来形成导电的回路,但目前硅芯棒之间大多是通过钼丝绑住,使硅芯棒之间的接触不稳定,容易造成硅芯棒之间的电阻增大使电流不易通过,容易引起反应的局部过热,还容易造成硅芯棒的倒塌,使还原反应无法顺利的进行,为此,我们提供一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构,包括两个竖硅芯棒和横硅芯棒,所述横硅芯棒的下表面左右两侧均设有开槽一,两个所述开槽一相背对的表面上部连接有卡板,两个所述竖硅芯棒相对的表面上均设有与所述卡板配合使用的卡板槽,两个所述卡板分别卡在对应的所述卡板槽内,两个所述竖硅芯棒相对的表面上部均设有开槽二,所述开槽二与所述卡板槽贯通设置,且所述开槽二的长度小于所述卡板槽的长度,两个所述开槽二相对的表面上设有卡块,所述横硅芯棒的上表面左右两侧均设有配合所述卡块使用的卡块槽,且所述卡块卡在对应的所述卡块槽的内部。
优选的,两个所述竖硅芯棒的下端均连接有圆形垫板。
优选的,所述竖硅芯棒的外表面均匀设有弧形凹槽。
优选的,所述竖硅芯棒下部的宽度大于所述竖硅芯棒上部的宽度。
优选的,两个所述竖硅芯棒的上表面与所述横硅芯棒的上表面设在同一水平面上。
优选的,每个所述开槽二上均设有两个所述卡块,且两个所述卡块前后对称设置。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构,通过横硅芯棒两侧的卡板分别卡入对应竖硅芯棒的卡板槽内,使横硅芯棒不会上下晃动,竖硅芯棒上的卡块分别卡入对应的横硅芯棒上的卡块槽内,使横硅芯棒不会前后晃动,最终横硅芯棒和两个竖硅芯棒之间紧密连接,可以使硅芯结构的连接十分方便,而且无需使用钼丝绑接,就不必将多晶硅包裹着的钼丝去除,方便工作人员的处理,而且使硅芯结构之间的接触十分稳定,有利于减少衔接处的电阻,使反应更好的进行,既避免局部过热的情况发生,又能有效防止倒棒情况的发生。
附图说明
图1为本实用新型的主视图;
图2为本实用新型的俯视图;
图3为本实用新型竖硅芯棒的主视图;
图4为本实用新型竖硅芯棒的俯视图;
图5为本实用新型横硅芯棒的主视内部结构图;
图6为本实用新型横硅芯棒的俯视图。
图中:1-竖硅芯棒、2-横硅芯棒、3-开槽一、4-卡板、5-卡板槽、6-开槽二、7-卡块、8-卡块槽、9-圆形垫板、10-弧形凹槽。
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