[实用新型]一种超导磁场冷凝提纯铝的装置有效
申请号: | 202022040756.2 | 申请日: | 2020-09-17 |
公开(公告)号: | CN212533091U | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 卢惠民;卢小溪;曹媛 | 申请(专利权)人: | 北京欧菲金太科技有限责任公司 |
主分类号: | C22B21/06 | 分类号: | C22B21/06 |
代理公司: | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人: | 周新楣 |
地址: | 100085 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超导 磁场 冷凝 提纯 装置 | ||
本实用新型公开了一种超导磁场冷凝提纯铝的装置,包括保温炉和控制系统,所述保温炉包括,钢坩埚,所述钢坩埚外依次套设有第二保温层、加热线圈、第一保温层和钢壳;所述保温炉的一侧设置有出料口,所述出料口将所述钢壳、第一保温层、加热线圈、第二保温层和钢坩埚贯穿;所述钢坩埚上端开口,开口处设有保温盖;所述第一保温层外套设有超导线圈;所述保温炉底部内部设置有冷凝器;所述控制系统与所述超导线圈和所述加热线圈电连接。通过本实用新型的设置,能够制备99.999%以上高纯铝。
技术领域
本实用新型涉及提纯设备技术领域,尤其涉及一种超导磁场冷凝提纯铝的装置。
背景技术
高纯铝(99.999%~99.9999%及以上,也即5N~6N+)具有许多优良性质,用途广泛,特别是在电子工业及航空航天工等领域用途较多。其中96%用于半导体行业,4%用作超导电缆的稳定化材料。
在制造集成电路芯片时,阴极溅射是一道必不可少的工艺,蒸发的呈等离子状态的铝沉积阴极靶面,即在硅片上形成一层薄薄的均匀的极少缺陷的铝膜,随后在铝膜上涂一层感光性树脂,经曝光后去除未感光的树脂,保留极窄的铝条便是所需的导电体。阴极溅镀的铝越纯,其导电率越高。
高纯铝的另外一个用途是作为集成电路的配线。其中杂质铀和钍含量越少越好,因为铀和钍是放射性元素,时时释放出α粒子,从而造成集成电路出现故障,使程序出现失误和混乱。
高纯铝可制作板状靶材,大规模应用于PDP及TFT平板显示器用溅射靶材。还可用于制造光电子存储媒体,如CD,CD-ROM,CD-RW、数据盘或微型盘、DVD银盘等。在银盘中用高纯铝溅射膜作为光反射层。
近代激光器具有处理样本的精确点数字信息传呼能力,但需要高精密装备与高纯铝,即利用高纯铝制造存储媒体。
目前我国已经生产出纯度99.999%以上的高纯铝,其利用的是传统三层液法和偏析法的联合法,偏析法生产高纯铝纯度不如三层液法生产的高纯铝纯度高,主要原因是在铝中存在很多分配系数大于1的元素,这些元素利用偏析法是去除不掉的。联合法以传统三层法生产的高纯铝为原料,进一步采用偏析法提纯,由于三层液法耗电高,造成联合法流程长,成本高,并且由于铝中仍存在分配系数大于1的元素,仍然存在于高纯铝中,对高纯铝的特殊用途的要求仍然不能满足,且制备所得的高纯铝纯度很难达到99.9995%以上。
本实用新型主要解决只用偏析法并且直接用原铝为原料就能生产出99.999%以上高纯铝的难题,直接利用原铝液为原料,生产99.999%~99.9999%及99.9999%以上的高纯铝,提高生产效率,降低成本,产品纯度高,满足高纯铝的特殊要求。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺陷,而提出的一种超导磁场冷凝提纯铝的装置。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种超导磁场冷凝提纯铝的装置,包括保温炉和控制系统,其特征在于,
所述保温炉包括,钢坩埚,所述钢坩埚外依次套设有第二保温层、加热线圈、第一保温层和钢壳;
所述保温炉的一侧设置有出料口,所述出料口将所述钢壳、第一保温层、加热线圈、第二保温层和钢坩埚坩埚贯穿;
所述钢坩埚上端开口,开口处设有保温盖;
所述第一保温层外套设有超导线圈;
所述保温炉底部内部设置有冷凝器;
所述控制系统与所述超导线圈和所述加热线圈电连接。
进一步的,所述第一保温层和第二保温层皆为保温砖,所述加热线圈设置于两保温砖层之间,通过加热线圈功率传感器与所述控制系统连接。
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