[实用新型]一种晶体生长炉

权利要求书

1.一种晶体生长炉，其特征在于，包括炉体，所述炉体外依次设置有水冷层和隔热防震层，所述隔热防震层内填充有气凝胶颗粒，所述隔热防震层外侧设置有感应加热线圈，所述炉体的两端分别安装有上盖和下盖。

2.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述气凝胶颗粒为三维网状纳米结构，

所述气凝胶颗粒的孔隙率为80～99％，所述气凝胶颗的孔径尺寸为10～50nm。

3.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述水冷层的厚度为15～20mm，所述隔热防震层的厚度为15～25mm。

4.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述上盖和/或下盖内部填充有气凝胶颗粒。

5.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述炉体包括由内向外嵌套设置的第一石英管、第二石英管和第三石英管，

第一石英管内部形成炉体腔室，第一石英管与第二石英管之间形成水冷层，第二石英管与第三石英管之间形成隔热防震层。

6.根据权利要求5所述的晶体生长炉，其特征在于，所述炉体的上端通过第一法兰盘与上盖连接，所述水冷层和隔热防震层的顶端与所述第一法兰盘的底壁贴合；

所述炉体的下端通过第二法兰盘与下盖连接，所述水冷层和隔热防震层的底端与所述第二法兰盘的顶壁贴合。

7.根据权利要求6所述的晶体生长炉，其特征在于，所述第一法兰盘底壁设置有第一凹形卡槽，所述水冷层和隔热防震层的顶端设置在第一凹形卡槽内，

所述第二法兰盘顶壁设置有第二凹形卡槽，所述水冷层和隔热防震层的底端设置在第二凹形卡槽内。

8.根据权利要求7所述的晶体生长炉，其特征在于，所述第一石英管的顶端内侧壁和第三石英管的顶端外侧壁与第一凹形卡槽的内壁贴合；

所述第一石英管的底端内侧壁和第三石英管的底端外侧壁与第二凹形卡槽的内壁贴合。

9.根据权利要求6所述的晶体生长炉，其特征在于，所述第二法兰盘顶壁上开设有连通水冷层底端的进水口，所述第一法兰盘底壁上开设有连通水冷壁顶端的出水口；

所述进水口和出水口均通过管路连接到循环冷却系统。

10.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述上盖包括空心的第一上法兰盖和第二上法兰盖，第一上法兰盖设置在第二上法兰盖顶端，第一上法兰盖内部填充气凝胶颗粒，第二上法兰盖的侧壁一侧设置有上盖进水口，侧壁另一侧设置有上盖出水口；

所述下盖包括空心的第一下法兰盖和第二下法兰盖，第一下法兰盖设置在第二下法兰盖底端，第一下法兰盖内部填充气凝胶颗粒，第二下法兰盖的侧壁一侧设置有下盖进水口，侧壁另一侧设置有下盖出水口。