[实用新型]一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路

权利要求书

1.一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路，其特征在于，包括：

ESD器件；设置在ESD器件的发射极和基极之间的抑制电阻；第一寄生三极管；第二寄生三极管；第三寄生三极管以及外部电源；

所述第一寄生三极管以及所述第二寄生三极管的基极分别与所述ESD器件的集电极连接，所述第一寄生三极管以及所述第二寄生三极管的发射极分别与所述ESD器件的基极连接，所述第一寄生三极管以及所述第二寄生三极管的集电极分别与外部电源连接；

所述第三寄生三极管的基极分别与所述ESD器件的基极以及所述第一寄生三极管的发射极连接，所述第三寄生三极管的发射极与所述ESD器件的发射极连接，所述第三寄生三极管的集电极分别与所述ESD器件的集电极、所述第一寄生三极管的基极以及所述第二寄生三极管的基极连接。

2.如权利要求1中所述的提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路，其特征在于，还包括第一电阻以及第二电阻；

所述第一电阻一端与所述ESD器件的集电极连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第三寄生三极管的集电极、第一寄生三极管的基极以及第二寄生三极管的基极连接；

所述第二电阻的一端与所述ESD器件的集电极连接，所述第二电阻的另一端分别与所述第三寄生三极管的集电极、第一寄生三极管的基极、第二寄生三极管的基极以及所述第一电阻的另一端连接。

3.如权利要求1中所述的提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路，其特征在于，还包括第四寄生三极管；

所述第四寄生三极管的基极分别与所述第一寄生三极管的集电极、所述第二寄生三极管的集电极以及所述外部电源中的ESD器件的基极连接，所述第四寄生三极管的发射极与所述外部电源中的ESD器件的发射极连接，所述第四寄生三极管的集电极分别与所述外部电源中的ESD器件的集电极、所述第一寄生三极管的基极以及所述第二寄生三极管的基极连接。

4.如权利要求1-3中任一项所述的提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路，其特征在于，所述ESD器件为PNP三极管。

5.如权利要求1-3中任一项所述的提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路，其特征在于，所述第一寄生三极管以及所述第二寄生三极管均为NPN三极管。

6.如权利要求3所述的提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路，其特征在于，所述第三寄生三极管以及所述第四寄生三极管均为PNP三极管。

7.如权利要求1-2中任一项所述的提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路，其特征在于，所述外部电源中的ESD器件为NPN三极管。

8.如权利要求3所述的提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路，其特征在于，所述外部电源中的ESD器件为功率PMOS。

9.如权利要求8所述的提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路，其特征在于，所述功率PMOS提供的电源电压为24V。