[实用新型]一种TFT阵列基板结构

权利要求书

1.一种TFT阵列基板结构，其特征在于，所述基板上设置有第一TFT区域和第二TFT区域，所述基板上设置有第一有源层、第一栅极绝缘层、第一金属层、隔离层、第一源极和第一漏极；

所述基板的第一TFT区域上设置有第一有源层设置于基板上，且所述第一有源层分为沟道区域和导体化区域，所述第一栅极绝缘层设置于所述沟道区域上，所述第一金属层设置于所述第一栅极绝缘层上，所述隔离层覆盖在第一有源层、第一栅极绝缘层和第一金属层上，所述第一源极和第一漏极通过所述隔离层上的第一通孔与所述导体化区域连接；

所述第二TFT包括：第二金属层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、第二有源层、第二源极和第二漏极；所述第二金属层置于基板上，且所述第二栅极绝缘层覆盖在所述第二金属层以及所述第一TFT上；所述第二有源层置于所述第二栅极层上，且位于所述第二金属层上方；于所述第二有源层两侧分别设置有第二源极和第二漏极，所述第二源极和第二漏极与所述第二有源层连接。

2.根据权利要求1所述一种TFT阵列基板结构，其特征在于，还包括：绝缘层、钝化层、氧化铟锡公共电极层、氧化铟锡像素电极层；

所述钝化层置于所述第一TFT、第二TFT上，且所述绝缘层上设置有以第二源极或者第二漏极为底的第二通孔，所述氧化铟锡公共电极层分别置于所述第二通孔两侧；所述钝化层置于所述绝缘层上，且于所述第二通孔处开设有第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔共用一个底面，所述氧化铟锡像素电极层通过第三通孔与底部的第二源极或者第二漏极连接。

3.根据权利要求2所述一种TFT阵列基板结构，其特征在于，还包括：平坦层；所述平坦层设置于所述绝缘层与所述钝化层之间，且所述平坦层位于第二通孔上设置有第四通孔，所述第四通孔与所述第二通孔、第三通孔相导通设置；所述氧化铟锡公共电极层设置于所述平坦层上，且设置于第四通孔的两侧。

4.根据权利要求1所述一种TFT阵列基板结构，其特征在于，还包括：蚀刻阻挡层；所述蚀刻阻挡层设置于所述绝缘层与所述第二栅极绝缘层之间，且位于所述第二有源层的两侧上设置有第五通孔，所述第二源极、第二漏极通过所述第五通孔与所述第二有源层连接。