[实用新型]一种高线性度垂直腔面激光器芯片结构有效
| 申请号： | 202022090801.5 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN213636609U | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 韩春霞 | 申请（专利权）人： | 武汉仟目激光有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 郑飞 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区汤*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 线性 垂直 激光器 芯片 结构 | ||
1.一种高线性度垂直腔面激光器芯片结构，包括由下至上依次加工形成的衬底、N-DBR层、多量子阱层、P-DBR层、帽层、绝缘层及电极接触层，其特征在于：所述绝缘层设有内外连接通道，所述内外连接通道设有金属层，所述金属层的上端面与所述电极接触层接触，所述金属层的下端面与所述帽层之间注入有离子注入层。
2.根据权利要求1所述的高线性度垂直腔面激光器芯片结构，其特征在于：所述离子注入层含有锌(Zn)原子、碳(C)原子、镁(Mg)原子或者铍(Be)原子的气体、固体及液体中的一种。
3.根据权利要求1所述的高线性度垂直腔面激光器芯片结构，其特征在于：所述离子注入层的注入时间为5s～30min。
4.根据权利要求1或3所述的高线性度垂直腔面激光器芯片结构，其特征在于：所述离子注入层注入时腔体的温度范围为70～300℃。
5.根据权利要求1或3所述的高线性度垂直腔面激光器芯片结构，其特征在于：所述离子注入层的厚度范围为50nm～5000nm。
6.根据权利要求1所述的高线性度垂直腔面激光器芯片结构，其特征在于：所述衬底为GaAs衬底。
7.根据权利要求1或6所述的高线性度垂直腔面激光器芯片结构，其特征在于：所述衬底的材料为Ⅲ/Ⅴ族化合物半导体。
8.根据权利要求1所述的高线性度垂直腔面激光器芯片结构，其特征在于：所述电极接触层的材料为Ⅲ/Ⅴ族化合物半导体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉仟目激光有限公司，未经武汉仟目激光有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022090801.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
