[实用新型]一种防过刻的垂直腔面激光器芯片结构有效
| 申请号： | 202022090808.7 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN213753443U | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 韩春霞 | 申请（专利权）人： | 武汉仟目激光有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 郑飞 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区汤*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 激光器 芯片 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种防过刻的垂直腔面激光器芯片结构，包括衬底，所述衬底上依次层叠有缓冲层、N型DBR层、多量子阱层、P型DBR层、AlxGaAs层及帽层，其特征在于：所述AlxGaAs层及帽层还设有刻蚀停止层，所述刻蚀停止层包括含砷(As)或者含磷(P)系列或者两者的组合物；
其中，所述组合物组成为含As和含P系列的上、下两层的组合，上、下两层的总厚度为50～200nm，上、下两层厚度比的范围为0～1，上、下两层压应变相对于GaAs的范围是±1000ppm。
2.根据权利要求1所述的防过刻的垂直腔面激光器芯片结构，其特征在于：所述刻蚀停止层的材料是AlxGaAs。
3.根据权利要求2所述的防过刻的垂直腔面激光器芯片结构，其特征在于：所述AlxGaAs层与刻蚀停止层之间的厚度选择比为1：2～1：10。
4.根据权利要求1所述的防过刻的垂直腔面激光器芯片结构，其特征在于：所述刻蚀停止层生长的厚度为50～200nm。
5.根据权利要求1所述的防过刻的垂直腔面激光器芯片结构，其特征在于：所述刻蚀停止层的压应变相对于GaAs的范围是±1000ppm。
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