[实用新型]一种蓝光纳米环光放大器

权利要求书

1.一种蓝光纳米环光放大器，其特征在于，在衬底层上由下至上依次包括：蓝宝石衬底（1），该衬底用于在其上外延生长蓝光纳米环光放大器各层材料；缓冲层（2），为厚度是1000nm的GaN材料，该层制作在衬底（1）之上；底部GaN同质结分布布拉格反射镜层（3），为外延生长5对不同掺杂浓度的n型n-GaN/n+-GaN 分布布拉格反射镜同质结材料，该层制作在缓冲层（2）之上；下势垒层（4），为厚度是150nm的GaN材料，制作在底部GaN同质结分布布拉格反射镜层（3）之上；有源层（5），为多量子阱，该层制作在下势垒层（4）之上；电流注入层（6），为厚度是35nm的n+-GaN材料，该层制作在有源层（5）之上；上势垒层（7），为厚度是150nm的GaN材料，制作在电流注入层（6）之上；顶部GaN同质结分布布拉格反射镜层（8），为外延生长5对不同掺杂浓度的n型n-GaN/n+-GaN 分布布拉格反射镜同质结材料，该层制作在上势垒层（7）之上；欧姆接触层（9），为厚度是300nm的n+-GaN材料，该层制作在顶部GaN同质结分布布拉格反射镜层（8）之上。