[实用新型]一种浅沟道超结MOS半导体功率器件

权利要求书

1.一种浅沟道超结MOS半导体功率器件，其特征在于，包括：N型重掺杂衬底(1)，在N型重掺杂衬底(1)上的N型轻掺杂漂移区(2)，在N型轻掺杂漂移区(2)上的N型重掺杂区(7)和P型阱区(3)，该N型重掺杂区(7)设置在P型阱区(3)中间，在P型阱区(3)上且靠近N型重掺杂区(7)的N型轻掺杂区(4)，在N型轻掺杂区(4)上的N型重掺杂源区(6)，在远离栅结构区的栅结构(9)的N型重掺杂源区(6)一侧相邻接的P型重掺杂源区(5)，在P型阱区(3)和N型重掺杂区(7)上的栅结构区的绝缘介质(8)和栅结构区的栅结构(9)，该栅结构区的栅结构(9)采用多晶硅材料和其中栅结构区的绝缘介质(8)采用高K绝缘材料，N型/P型重掺杂源区引出源极，栅结构区的栅结构(9)引出栅极，N型重掺杂衬底(1)下表面引出漏极。

2.根据权利要求1所述的浅沟道超结MOS半导体功率器件，其特征在于，N型重掺杂衬底(1)的面积比在N型重掺杂衬底(1)上的N型轻掺杂漂移区(2)的面积小。

3.根据权利要求1所述的浅沟道超结MOS半导体功率器件，其特征在于，在N型轻掺杂漂移区(2)上的N型重掺杂区(7)的面积比P型阱区(3)的面积小。

4.根据权利要求1所述的浅沟道超结MOS半导体功率器件，其特征在于，所述高K绝缘材料是一种单质或者化合物或者几种相关薄膜叠加组成的材料。

5.根据权利要求1所述的浅沟道超结MOS半导体功率器件，其特征在于，N型/P型重掺杂源区上的源极、N型重掺杂衬底(1)下表面的漏极和栅结构区的栅结构(9)上的栅极，该源极、漏极和栅极的金属电极采用金属铜材料或者铝材料。

6.根据权利要求1所述的浅沟道超结MOS半导体功率器件，其特征在于，N型重掺杂衬底材料为半导体SiC基或者GaN基材料。