[实用新型]一种超结IGBT的半导体功率器件

权利要求书

1.一种超结IGBT的半导体功率器件，其特征在于，包括：P型重掺杂衬底(1)，在P型重掺杂衬底(1)上的N型重掺杂缓冲区(2)，在N型重掺杂缓冲区(2)上的N型轻掺杂漂移区(3)，在N型轻掺杂漂移区(3)上的N型重掺杂区(8)和P型阱区(4)，在N型重掺杂区(8)上的N型轻掺杂沟道区(9)，所述N型轻掺杂沟道区(9)设置在P型阱区(4)中间，在P型阱区(4)且靠近N型重掺杂区(8)的N型轻掺杂区(5)，在N型轻掺杂区(5)上的N型重掺杂源区(7)，在N型重掺杂源区(7)相邻接的P型重掺杂源区(6)，在P型阱区(4)和N型轻掺杂沟道区(9)上的栅结构区的绝缘介质(11)和栅结构区的栅结构(10)，该栅结构区的栅结构(10)采用多晶硅材料和栅结构区的绝缘介质(11)采用高K绝缘材料，N型/P型重掺杂源区引出发射极，栅结构区的栅结构(10)引出栅极，P型重掺杂衬底(1)下表面引出集电极。

2.根据权利要求1所述的超结IGBT的半导体功率器件，其特征在于，P型重掺杂衬底(1)的面积比在P型重掺杂衬底(1)上的N型重掺杂缓冲区(2)的面积小。

3.根据权利要求1所述的超结IGBT的半导体功率器件，其特征在于，N型重掺杂缓冲区(2)的面积比在N型重掺杂缓冲区(2)上的N型轻掺杂漂移区(3)的面积小。

4.根据权利要求1所述的超结IGBT的半导体功率器件，其特征在于，在N型轻掺杂漂移区(3)上的N型重掺杂区(8)的面积比P型阱区(4)的面积小。

5.根据权利要求1所述的超结IGBT的半导体功率器件，其特征在于，在N型重掺杂区(8)上的N型轻掺杂沟道区(9)的宽度比N型重掺杂区(8)的宽度大。

6.根据权利要求1所述的超结IGBT的半导体功率器件，其特征在于，所述高K绝缘材料是一种单质或者化合物或者几种相关薄膜叠加组成的材料。

7.根据权利要求1所述的超结IGBT的半导体功率器件，其特征在于，N型/P型重掺杂源区上的发射极、P型重掺杂衬底(1)下表面的集电极和栅结构区的栅结构(10)上的栅极，该发射极、集电极和栅极的金属电极采用金属铜材料或者铝材料。

8.根据权利要求1所述的超结IGBT的半导体功率器件，其特征在于，P型重掺杂衬底材料为半导体SiC基或者GaN基材料。