[实用新型]等距电极自积水有益物质发生装置及具有该装置的阵列有效

专利信息
申请号: 202022100159.4 申请日: 2020-09-22
公开(公告)号: CN212596501U 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 邱庆彬;其他发明人请求不公开姓名 申请(专利权)人: 平流层复合水离子(深圳)有限公司
主分类号: B05B5/053 分类号: B05B5/053
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤海街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 等距 电极 积水 有益 物质 发生 装置 具有 阵列
【权利要求书】:

1.一种等距电极自积水有益物质发生装置,其特征在于:包括第一电极块、第二电极块以及制冷端面,所述第一电极块与所述第二电极块极性相反,所述第一电极块包括第一电极主体及连接于所述第一电极主体周边的第一电极基板,所述第二电极块包括第二电极主体及连接于所述第二电极主体周边的第二电极基板,所述第一电极主体与所述第二电极主体且互相平行,所述第一电极基板与所述第二电极基板互相平行,所述制冷端面装设于所述第一电极块或者所述第二电极块的外端面。

2.如权利要求1所述的等距电极自积水有益物质发生装置,其特征在于:所述第一电极主体为平板状且与所述第一电极基板平滑相接,所述第二电极主体为平板状且与所述第二电极基板平滑相接。

3.如权利要求2所述的等距电极自积水有益物质发生装置,其特征在于:还包括设置于所述第一电极块与所述第二电极块之间的介质块,所述介质块包括平板状的介质块主体及平滑连接于所述介质块主体周边的介质块基板,所述介质块主体与所述第一电极主体及所述第二电极主体互相平行,所述介质块基板与所述第一电极基板及所述第二电极基板互相平行。

4.如权利要求1所述的等距电极自积水有益物质发生装置,其特征在于:所述第一电极主体呈远离所述第二电极主体的方向凸设的半球状,所述第二电极主体呈靠近所述第一电极主体的方向凸设的半球状,所述第二电极主体的半径小于所述第一电极主体的半径。

5.如权利要求4所述的等距电极自积水有益物质发生装置,其特征在于:还包括设置于所述第一电极块与所述第二电极块之间的介质块,所述介质块包括朝所述第一电极主体凸设的呈半球状的介质块主体及连接于所述介质块主体周边的介质块基板,所述介质块主体与所述第一电极主体及所述第二电极主体互相平行,所述介质块基板与所述第一电极基板及所述第二电极基板互相平行。

6.如权利要求4所述的等距电极自积水有益物质发生装置,其特征在于:所述第一电极主体的中心处开设有第一中心孔,所述第二电极主体的中心处开设有第二中心孔。

7.如权利要求1所述的等距电极自积水有益物质发生装置,其特征在于:所述第一电极主体呈远离所述第二电极主体的方向凸设的圆台状,所述第一电极主体的侧壁远离所述第一电极基板的一端的直径小于所述第一电极主体的侧壁靠近所述第一电极基板一端的直径,所述第二电极主体呈靠近所述第一电极主体的方向凸设的圆台状,所述第二电极主体的侧壁远离所述第二电极基板的一端的直径小于所述第二电极主体的侧壁靠近所述第二电极基板一端的直径,所述第二电极主体远离所述第二电极基板的一端面的直径小于所述第一电极主体远离所述第一电极基板的一端面的直径,所述第二电极主体远离所述第二电极基板的一端面与所述第一电极主体远离所述第一电极基板的一端面互相平行,所述第一电极主体的侧壁与所述第二电极主体的侧壁互相平行,所述第一电极主体的中心处开设有第一中心孔,所述第二电极主体的中心处开设有第二中心孔。

8.如权利要求7所述的等距电极自积水有益物质发生装置,其特征在于:还包括设置于所述第一电极块与所述第二电极块之间的介质块,所述介质块包括朝所述第一电极主体凸设的呈圆台状的介质块主体及连接于所述介质块主体周边的介质块基板,所述介质块主体的侧壁远离所述介质块基板的一端的直径小于所述介质块主体的侧壁靠近所述介质块基板一端的直径,所述介质块主体远离所述介质块基板的一端面的直径小于所述第一电极主体远离所述第一电极基板的一端面的直径大于所述第二电极主体远离所述第二电极基板的一端面的直径,所述介质块主体远离所述介质块基板的一端面与所述第一电极主体远离所述第一电极基板的一端面互相平行,所述介质块主体的侧壁与所述第一电极主体的侧壁互相平行,所述介质块主体的中心处开设有介质块主体中心孔。

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