[实用新型]一种氮化镓器件电流崩塌测试装置有效
| 申请号： | 202022101002.3 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN213780275U | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 卢益锋;蔡文必;蔡仙清;侯艺伟;刘胜厚;张辉 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L29/778;H01L29/20 |
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| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 电流 崩塌 测试 装置 | ||
1.一种氮化镓器件电流崩塌测试装置，其特征在于，
包含第一高速开关(U1)、第二高速开关(U2)；
所述第一高速开关(U1)、第二高速开关(U2)均为二选一开关，所述二选一开关包含第一选择端(S1)、第二选择端(S2)、公共端(D)、选择控制端(IN)；
所述第一高速开关(U1)的第一选择端(S1)连接至第一电压，所述第一高速开关(U1)的公共端(D)连接至待测氮化镓器件的栅极，所述第一高速开关(U1)的第二选择端(S2)用于输入待测氮化镓器件的栅极测试电压(VGS)；
所述第二高速开关(U2)的第一选择端(S1)连接至第二电压，所述第二高速开关(U2)的第二选择端(S2)用于输入待测氮化镓器件的漏极测试电压(VDS)，所述第二高速开关(U2)的公共端(D)连接至待测氮化镓器件的漏极；
所述第一高速开关(U1)的选择控制端(IN)、所述第二高速开关(U2)的选择控制端(IN)分别连接至一电平控制信号(TTL)。
2.根据权利要求1所述的氮化镓器件电流崩塌测试装置，其特征在于，
所述第二高速开关(U2)的第二选择端(S2)还串联一电流测量设备。
3.根据权利要求1所述的氮化镓器件电流崩塌测试装置，其特征在于，
所述漏极测试电压(VDS)为脉冲电压，所述电平控制信号(TTL)为脉冲信号；所述漏极测试电压(VDS)与所述电平控制信号(TTL)同步且脉冲占空比相同。
4.根据权利要求1所述的氮化镓器件电流崩塌测试装置，其特征在于，
所述氮化镓器件电流崩塌测试装置还包括第一稳态电路；
所述第一稳态电路由串联的第一电阻(R1)、第一电容(C1)构成；
所述第一稳态电路的一端连接至第一高速开关(U1)的公共端(D)，所述第一稳态电路的另一端接地。
5.根据权利要求4所述的氮化镓器件电流崩塌测试装置，其特征在于，
所述第一电阻(R1)、所述第一电容(C1)构成的RC电路的时间响应常数小于等于0.1μs。
6.根据权利要求1所述的氮化镓器件电流崩塌测试装置，其特征在于，
所述氮化镓器件电流崩塌测试装置还包第二稳态电路；
所述第二稳态电路由串联的第二电阻(R2)、第二电容(C2)构成；
所述第二稳态电路的一端连接至第二高速开关(U2)的公共端(D)，所述第二稳态电路的另一端接地。
7.根据权利要求6所述的氮化镓器件电流崩塌测试装置，其特征在于，
所述第二电阻(R2)、所述第二电容(C2)构成的RC电路的时间响应常数小于等于0.1μs。
8.根据权利要求1所述的氮化镓器件电流崩塌测试装置，其特征在于，
所述第一高速开关(U1)的芯片型号为DG419。
9.根据权利要求1所述的氮化镓器件电流崩塌测试装置，其特征在于，
所述第二高速开关(U2)的芯片型号为DG419。
10.根据权利要求1所述的氮化镓器件电流崩塌测试装置，其特征在于，
所述待测氮化镓器件为耗尽型HEMT器件。
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