[实用新型]一种TFT阵列基板结构

说明书

本实用新型公开一种TFT阵列基板结构，沉积遮光层于基板上，制作缓冲层；制作第一有源层，制作第二有源层；图形化第一有源层和第二有源层；于第一有源层上制作栅极绝缘层，并于栅极绝缘层上制作金属栅极层；制作钝化层；第一通孔、第二通孔和第三通孔；第二通孔和第三通孔分别置于金属栅极层的两侧；制作金属源极和金属漏极，金属源极通过第一通孔与遮光层连接，金属源极通过第二通孔与第一有源层连接，金属漏极通过第三通孔与第一有源层连接；制作平坦层，并制作第四通孔；制作电极层，并与金属漏极连接。减少在TFT阵列基板制备过程中，对第一有源层的损伤，起到保护第一有源层薄膜的作用，同时减少器件电性的漂移，提高薄膜晶体管的性能。

技术领域

本实用新型涉及TFT阵列基板技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板结构。

背景技术

顶栅型(Top-gate)薄膜晶体管，由于源漏电极与栅极之间没有重叠，因此具有更低的寄生电容和更好的延展性，能避免A-Si TFT由于栅极和源漏极重叠面积大，而产生较大的寄生电容，因此顶栅型(Top-gate)薄膜晶体管中能够降低信号传输过程中的延迟，同时采用自对准的制备方法，有利于制备短沟道器件，并且采用金属氧化物IGZO作为有源层，电子迁移率高，有利于提高器件特性，顶栅型薄膜晶体管结构将成为未来显示领域发展的趋势；

IGZO(indium gallium zinc oxide)为铟镓锌氧化物的缩写，非晶IGZO 材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料，IGZO作为TFT有源层载流子迁移率比A-Si高，能实现TFT的快速充放电，IGZO结构比LTPS结构简单，制作成本低，并且也能实现在高分辨率及高刷新频率显示，因此IGZO薄膜成为OLED显示器中驱动TFT的有源层是当下热门的趋势。

IGZO薄膜在现有技术中常用磁控溅射的方法制得，但是IGZO薄膜体内通常含有大量的氧空位，氧空位一方面增加了IGZO薄膜的载流子浓度，但又降低了载流子的迁移率；同时IGZO薄膜涂胶曝光显影脱膜的工艺制程，IGZO 薄膜在经过光刻胶脱膜过程中，IGZO薄膜会经过剥离液草酸的浸泡，草酸会破坏IGZO薄膜存在大量界面晶格缺陷，使IGZO中的氧空位增加，降低载流子的迁移率，并且由于界面晶格缺陷，IGZO与金属源漏极的接触形成的肖特基接触电阻增大，进而影响IGZO TFT的驱动电流大小，总体上降低了器件性能。

实用新型内容

为此，需要提供一种TFT阵列基板结构，能够减少在TFT阵列基板制备过程中，对所述第一有源层的损伤，起到保护第一有源层薄膜的作用，同时减少器件电性的漂移，提高薄膜晶体管的性能。

为实现上述目的，本申请提供了一种TFT阵列基板结构，包括：遮光层、缓冲层、第一有源层、第二有源层、金属源极、金属漏极、栅极绝缘层、金属栅极层、钝化层；

所述遮光层设置于基板上，且所述缓冲层覆盖于所述遮光层上；所述缓冲层上依次设置有所述第一有源层、第二有源层、栅极绝缘层、金属栅极层和钝化层，所述第一有源层和所述第二有源层的大小相同；所述金属源极和金属漏极置于所述钝化层上，且所述金属源极通过第一通孔与所述遮光层连接，所述金属源极还通过第二通孔与所述第二有源层连接；所述金属漏极通过第三通孔与所述第二有源层连接；所述第二通孔和第三通孔置于所述金属栅极层两侧；

所述第二有源层的厚度小于所述第一有源层的厚度，所述第一有源层和第二有源层均为IGZO有源层；所述第二有源层的致密度大于所述第一有源层的致密度。

进一步地，还包括：平坦层和电极层；所述平坦层覆盖设置在所述金属源极和金属漏极上，且所述电极层通过位于所述平坦层上的第四通孔与所述金属漏极连接。

进一步地，所述第一有源层的厚度为0.03um～0.06um，所述第二有源层的厚度为0.002～0.005um。