[实用新型]一种IC芯片吸嘴有效
申请号: | 202022108766.5 | 申请日: | 2020-09-23 |
公开(公告)号: | CN212874470U | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 何为华 | 申请(专利权)人: | 华芯智创科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 518107 广东省深圳市光明*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ic 芯片 | ||
本实用新型公开了一种IC芯片吸嘴,包括连接件、底板、吸嘴本体和唇形吸附嘴,所述底板设于连接件上,所述吸嘴本体设于底板上,所述唇形吸附嘴设于吸嘴本体上,所述连接件中设有真空通道,所述底板中设有导流通道,所述吸嘴本体中设有均流腔,所述导流通道两端分别与真空通道和均流腔连通,所述唇形吸附嘴与均流腔连通,所述唇形吸附嘴形成半隔离腔体。本实用新型涉及IC芯片加工技术领域,具体是提供了一种截面采用特殊的三角形内空结构的唇形吸附嘴,在吸附时只与IC芯片表面接触很小的面积的IC芯片吸嘴。
技术领域
本实用新型涉及IC芯片加工技术领域,具体是指一种IC芯片吸嘴。
背景技术
芯片吸嘴用来吸附芯片,配合相关的运动,实现芯片的移动。传统的芯片吸嘴,吸附芯片时,会与芯片的大面积表面接触,此种接触方式,主要问题有1)容易损伤芯片表面;2)会对芯片表面造成污染。
实用新型内容
针对上述情况,为克服现有技术的缺陷,本实用新型提供一种截面采用特殊的三角形内空结构的唇形吸附嘴,在吸附时只与IC芯片表面接触很小的面积的IC芯片吸嘴。
本实用新型采取的技术方案如下:本实用新型一种IC芯片吸嘴,包括连接件、底板、吸嘴本体和唇形吸附嘴,所述底板设于连接件上,所述吸嘴本体设于底板上,所述唇形吸附嘴设于吸嘴本体上,所述连接件中设有真空通道,所述底板中设有导流通道,所述吸嘴本体中设有均流腔,所述导流通道两端分别与真空通道和均流腔连通,所述唇形吸附嘴与均流腔连通,所述唇形吸附嘴形成半隔离腔体。
进一步地,所述连接件与外接真空发生器连接,在真空发生器工作时,通过抽离空气在唇形吸附嘴形成半隔离腔体中形成负压吸附力,可将IC芯片吸附在唇形吸附嘴上,相较于传统吸嘴,唇形吸附嘴与IC芯片表面接触面积更小,对IC芯片表面损伤与污染极低。
进一步地,所述吸嘴本体截面呈三角形结构设置,所述唇形吸附嘴设于吸嘴本体的顶角处。
采用上述结构本实用新型取得的有益效果如下:本方案利用唇形吸附嘴的特殊结构形成半隔离腔体,在真空作用下形成负压吸附力,可将IC芯片吸附在唇形吸附嘴上,相较于传统吸嘴,唇形吸附嘴与IC芯片表面接触面积更小,对IC芯片表面损伤与污染极低。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
图1为本实用新型一种IC芯片吸嘴的整体结构示意图;
图2为本实用新型一种IC芯片吸嘴的主视图;
图3为本实用新型一种IC芯片吸嘴的侧视图;
图4为本实用新型一种IC芯片吸嘴的使用状态图。
其中,1、连接件,2、底板,3、吸嘴本体,4、唇形吸附嘴,5、真空通道,6、导流通道,7、均流腔,8、半隔离腔体。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例;基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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