[实用新型]一种高精度低温漂欠压保护电路

权利要求书

1.一种高精度低温漂欠压保护电路，其特征在于，包括第一电路、第二电路，所述第一电路的输出端与所述第二电路的输入端相连接；

所述第二电路包括三极管Q1、稳压二极管U1、电阻R4、电阻R5、电阻R6，所述三极管Q1的集电极连接所述第一电路的输出端，所述电阻R5将所述三极管Q1的基级耦接到所述稳压二极管U1的2脚，所述稳压二极管U1的3脚与所述电阻R6的输出端连接，所述电阻R6输入端与所述电阻R4的输入端并联，所述电阻R4输出端连接VIN端。

2.根据权利要求1所述的高精度低温漂欠压保护电路，其特征在于，所述第二电路还包括电阻R3、二极管D1，所述电阻R3将所述三极管Q1的发射端耦接到所述二极管D1的正极。

3.根据权利要求2所述的高精度低温漂欠压保护电路，其特征在于，所述第二电路包括第一节点，所述第一节点将所述二极管D1的负极耦接到所述稳压二极管U1的1脚，所述电阻R6的输入端连接所述第一节点。

4.根据权利要求1所述的高精度低温漂欠压保护电路，其特征在于，所述第二电路还包括电容C3，所述电容C3的输入端连接所述三极管Q1的发射端，所述电容C3的输出端连接所述电阻R6的输出端。

5.根据权利要求1所述的高精度低温漂欠压保护电路，其特征在于，所述第二电路包括电阻R2、电阻R7，所述电阻R2的输入端、所述电阻R7的输入端均连接所述第一电路的输出端，所述R2的输出端连接所述三极管Q1的基级，所述电阻R7的输出端连接所述电阻R5的输入端。

6.根据权利要求1所述的高精度低温漂欠压保护电路，其特征在于，所述第一电路包括三极管Q2，所述三极管Q2的集电极连接VIN端，所述三极管Q2的发射端连接所述第二电路的输入端。

7.根据权利要求6所述的高精度低温漂欠压保护电路，其特征在于，所述第一电路包括二极管D2、电阻R1、电容C2，所述电阻R1的输入端连接VIN端，所述电阻R1的输出端与所述电容C2的输入端连接，所述电容C2的输出端连接所述二极管D2的正极，所述二极管D2的负极连接所述三极管Q2的基级。

8.根据权利要求7所述的高精度低温漂欠压保护电路，其特征在于，所述第一电路包括电容C3，所述电容C3的输入端连接所述三极管Q2的发射端，所述电容C3的输出端接地。