[实用新型]一种AMR各向异性磁阻传感器的惠斯通电阻桥修调装置有效
申请号: | 202022115747.5 | 申请日: | 2020-09-24 |
公开(公告)号: | CN212725252U | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 张文旭;胡凯琳 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L43/08;H01L43/12 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 amr 各向异性 磁阻 传感器 斯通 电阻 桥修调 装置 | ||
1.一种AMR各向异性磁阻传感器的惠斯通电阻桥修调装置,所述惠斯通电阻桥包括4个相同的第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件和第四磁阻元件,所述第一磁阻元件的第一连接端和所述第二磁阻元件的第一连接端互连并作为所述惠斯通电阻桥的输入端,所述第一磁阻元件的第二连接端和所述第三磁阻元件的第一连接端互连并作为所述惠斯通电阻桥的第一输出端,所述第二磁阻元件的第二连接端和所述第四磁阻元件的第一连接端互连并作为所述惠斯通电阻桥的第二输出端;
其特征在于,所述惠斯通电阻桥修调装置包括修调模块、电源模块、电压检测模块和激光修调仪,
所述修调模块包括接在所述第三磁阻元件的第二连接端和地之间的第一修调单元以及接在所述第四磁阻元件的第二连接端和地之间的第二修调单元,所述第一修调单元和所述第二修调单元均包括多个并联的电阻元件,且最外侧电阻元件的宽度比其余内侧电阻元件的宽度大;
所述电源模块用于产生测试电压连接至所述惠斯通电阻桥的输入端;
所述电压检测模块的正极连接所述惠斯通电阻桥的第一输出端和第二输出端,其负极与所述电源模块的电源负极相连;所述电压检测模块用于在相同的条件下进行测量,分别获得所述惠斯通电阻桥第一输出端的电压值和所述惠斯通电阻桥第二输出端的电压值;
所述激光修调仪根据测量结果对所述修调模块中的电阻元件进行激光修调,当所述惠斯通电阻桥第一输出端的电压值减去所述惠斯通电阻桥第二输出端的电压值之差大于设定范围的最大值时,对所述第二修调单元中电阻元件的尺寸进行激光切割;当所述惠斯通电阻桥第一输出端的电压值减去所述惠斯通电阻桥第二输出端的电压值之差小于设定范围的最小值时,对所述第一修调单元中电阻元件的尺寸进行激光切割。
2.根据权利要求1所述的AMR各向异性磁阻传感器的惠斯通电阻桥修调装置,其特征在于,所述第一修调单元包括四个并联的电阻元件,且最外侧电阻元件的宽度是其余内侧三个电阻元件宽度的三倍;所述第二修调单元包括四个并联的电阻元件,且最外侧电阻元件的宽度是其余内侧三个电阻元件宽度的三倍。
3.根据权利要求1所述的AMR各向异性磁阻传感器的惠斯通电阻桥修调装置,其特征在于,所述电源模块为电压表,所述电压检测模块为数字电压仪。
4.根据权利要求1至3任一项所述的AMR各向异性磁阻传感器的惠斯通电阻桥修调装置,其特征在于,所述激光修调仪对电阻元件进行逐点切割从而修调电阻值,每次切割完成后进行下一次测量和激光修调。
5.根据权利要求4所述的AMR各向异性磁阻传感器的惠斯通电阻桥修调装置,其特征在于,所述电阻元件的阻值为20欧姆至50欧姆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022115747.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种处理器测试用装置
- 下一篇:主机板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造