[实用新型]高功率因素超低谐波N相并联交错BUCK大功率整流装置

权利要求书

1.高功率因素超低谐波N相并联交错BUCK大功率整流装置，其特征在于：包括降低网侧谐波和改善功率因素的拓扑电路，所述拓扑电路包括变压器、断路器K1、熔丝FU1、熔丝FU2、熔丝FU3、预充电阻R1、预充电阻R2、预充电阻R3、旁路接触器Ka、旁路接触器Kb、旁路接触器Kc、交流侧电感La、交流侧电感Lb、交流侧电感Lc、受控开关Q1、受控开关Q2、受控开关Q3、受控开关Q4、受控开关Q5、受控开关Q6、储能电容Cin、放电电阻Ra、放电电阻Rb以及由受控开关K1、受控开关K2、受控开关K3、受控开关K4、受控开关K5、受控开关Kn、受控开关D1、受控开关D2、受控开关D3、受控开关D4、受控开关D5、受控开关Dn和电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感L5、电感Ln组成的N相并联交错BUCK电路；所述变压器、断路器K1、熔丝FU1、熔丝FU2、熔丝FU3、预充电阻R1、预充电阻R2、预充电阻R3、旁路接触器Ka、旁路接触器Kb、旁路接触器Kc、交流侧电感La、交流侧电感Lb、交流侧电感Lc依次串联连接；所述受控开关Q1、受控开关Q4串联后同时并联在储能电容Cin两端，所述受控开关Q2、受控开关Q5串联后同时并联在储能电容Cin两端，所述受控开关Q3、受控开关Q6串联后同时并联在储能电容Cin两端，所述放电电阻Ra、放电电阻Rb串联后同时并联在储能电容Cin两端；所述受控开关Q1、受控开关Q4相连接脚与交流侧电感La连接，所述受控开关Q2、受控开关Q5相连接脚与交流侧电感Lb连接，所述受控开关Q3、受控开关Q6相连接脚与交流侧电感Lc连接；所述受控开关Q1、受控开关Q2、受控开关Q3、储能电容Cin以及放电电阻Ra相连接脚直接与N相并联交错BUCK电路的输入端连接，所述N相并联交错BUCK电路的输出端连接负载RL。

2.根据权利要求1所述的高功率因素超低谐波N相并联交错BUCK大功率整流装置，其特征在于：所述N相并联交错BUCK电路中，所述受控开关K1、受控开关D1、电感L1依次串联形成第一相BUCK，所述受控开关K2、受控开关D2、电感L2串联后形成第二相BUCK，所述受控开关K3、受控开关D3、电感L3串联后形成第三相BUCK，所述受控开关K4、受控开关D4、电感L4串联后形成第四相BUCK，所述受控开关K5、受控开关D5、电感L5串联后形成第五相BUCK，所述受控开关Kn、受控开关Dn、电感Ln串联后形成第n相BUCK，所述第一相BUCK至第n相BUCK之间相互并联连接，所述受控开关Q1、受控开关Q2、受控开关Q3、储能电容Cin以及放电电阻Ra相连接脚与受控开关K1、受控开关K2、受控开关K3、受控开关K4、受控开关K5、受控开关Kn相连接脚直接连接，所述电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感L5、电感Ln相连接脚与负载RL相连。

3.根据权利要求2所述的高功率因素超低谐波N相并联交错BUCK大功率整流装置，其特征在于：所述受控开关Q1、受控开关Q2、受控开关Q3、受控开关Q4、受控开关Q5、受控开关Q6选用IGBT或MOSFET；所述受控开关K1、受控开关K2、受控开关K3、受控开关K4、受控开关K5、受控开关Kn选用IGBT或MOSFET；所述受控开关D1、受控开关D2、受控开关D3、受控开关D4、受控开关D5、受控开关Dn选用二极管或者IGBT或者MOSFET；所述电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感L5、电感Ln也可用高磁导率的磁环代替或者铁氧体代替或新型磁芯材质。