[实用新型]高电子迁移率晶体管器件和电子器件

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，包括：

衬底，具有第一表面；

第一异质结构和第二异质结构，在所述衬底上并且彼此面对，所述第一异质结构和所述第二异质结构中的每个异质结构包括在所述衬底的所述第一表面上的第一半导体层、在所述衬底的所述第一表面上的第二半导体层，以及在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的二维电极气体2DEG层；

掺杂半导体层，在所述第一异质结构与所述第二异质结构之间；以及

源极接触，在所述第一异质结构和所述第二异质结构上。

2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述源极接触直接接触所述第一异质结构和所述第二异质结构中的每个异质结构的所述第一半导体层和所述第二半导体层的表面。

3.根据权利要求2所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述第二半导体层的表面与所述第一异质结构和所述第二异质结构的表面共面。

4.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述第一异质结构和所述第二异质结构的所述第一半导体层包括氮化镓GaN，并且所述第一异质结构和所述第二异质结构的所述第二半导体层包括氮化铝镓AlGaN。

5.根据权利要求4所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述掺杂半导体层包括掺杂有p型掺杂剂的氮化镓GaN。

6.根据权利要求5所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，还包括：

第一介电层，包括在所述第一异质结构与所述第二异质结构之间的所述衬底的所述第一表面上的部分，所述掺杂半导体层在所述第一介电层的所述部分上；以及

第二半导体层，在所述掺杂半导体层上。

7.根据权利要求6所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，还包括：

外延半导体层，在所述衬底的所述第一表面上，

其中所述第一异质结构和所述第二异质结构中的每个异质结构的所述第一半导体层在所述外延半导体层的相应侧表面上。

8.根据权利要求7所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述衬底是硅衬底，并且所述外延半导体层是外延硅层。

9.根据权利要求8所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述外延半导体层在其上表面处具有不同于111晶体取向的晶体取向，并且所述外延半导体层在所述外延半导体层的所述侧表面处具有111晶体取向。

10.根据权利要求7所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，还包括馈送层，所述馈送层在所述外延半导体层的所述侧表面上，所述馈送层被布置在所述外延半导体层的所述侧表面与所述第一异质结构和所述第二异质结构的所述第一半导体层之间。

11.根据权利要求10所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述馈送层包括氮化铝。

12.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，还包括栅极接触，所述栅极接触在所述掺杂半导体层上。

13.根据权利要求12所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，还包括漏极接触，所述漏极接触在所述衬底的与所述第一表面相对的第二表面上。