[实用新型]异质结太阳能电池及光伏组件有效
申请号: | 202022123849.1 | 申请日: | 2020-09-24 |
公开(公告)号: | CN212848454U | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 姚远洲;吴坚;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 嘉兴阿特斯光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/0236 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 张炜平 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴市秀洲区高照街*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异质结 太阳能电池 组件 | ||
本实用新型提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件,其中所涉及的异质结太阳能电池包括单晶硅衬底,所述单晶硅衬底的受光面与背光面均为金字塔绒面,所述单晶硅衬底受光面的金字塔数量大于所述单晶硅衬底背光面的金字塔数量;在本实用新型所提供的异质结太阳能电池结构中,单晶硅衬底受光面由于金字塔数量相对较多具有较优的光学吸收效果,单晶硅衬底背光面由于金字塔数量相对较少有助于提高异质结太阳能电池背光面一侧的钝化效果,本实用新型所提供的异质结太阳能电池兼顾了光学吸收效果与钝化效果,能够有效优化异质结太阳能电池的光电转化性能。
技术领域
本实用新型涉及光伏制造领域,尤其涉及一种异质结太阳能电池及光伏组件。
背景技术
常规的化石燃料日益消耗且造成环境污染,太阳能作为一种替代化石烧料的可持续绿色能源得到快速发展。异质结太阳能电池是目前一种较为高效的晶硅太阳能电池,其结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的特征,具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高和发电量多等优点。图1所示为现有技术所涉及异质结太阳能电池的结构示意图,其自上至下依次包括第一集电极51'、第一透明导电膜层41'、第一掺杂非晶层31'、第一本征非晶层21'、单晶硅衬底10'、第二本征非晶层22'、第二掺杂非晶层32'、第二透明导电膜层42'、第二集电极52'。
参考图2所示,现有技术中所涉及单晶硅衬底10'的受光面101'金字塔绒面与背光面102'金字塔绒面形态基本一致,即两表面的金字塔数量基本一致。此外,现有技术所涉及异质结太阳能电池位于单晶硅衬底10'两侧的非晶层通常为对称设计,即第一本征非晶层21'与第二本征非晶层22'厚度一致,第一掺杂非晶层31'与第二掺杂非晶层32'厚度一致。基于这些设计方式,异质结太阳能电池的电池性能难以进一步提高。
有鉴于此,有必要提供一种改进的技术方案以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一,为实现上述实用新型目的,本实用新型提供了一种异质结太阳能电池,其具体设计方式如下。
一种异质结太阳能电池,包括单晶硅衬底,所述单晶硅衬底的受光面与背光面均为金字塔绒面,所述单晶硅衬底受光面上单位面积内的金字塔数量大于所述单晶硅衬底背光面上单位面积内的金字塔数量。
进一步,于所述单晶硅衬底受光面的单位面积内,费雷特直径在1μm-2μm范围内的金字塔数量占总金字塔数量的比值为40%-60%。
进一步,于所述单晶硅衬底受光面的单位面积内,费雷特直径在1μm-1.5μm范围内的金字塔数量占比为20%-40%,费雷特直径在1.5μm-2μm范围内的金字塔数量占比为20%-40%。
进一步,于所述单晶硅衬底受光面的单位面积内,费雷特直径小于1μm的金字塔数量占比不大于10%,费雷特直径在2μm-2.5μm范围内的金字塔数量占比为5%-25%,费雷特直径大于2.5μm的金字塔数量占比小于5%。
进一步,于所述单晶硅衬底受光面的单位面积内,金字塔的费雷特直径均不大于3μm。
进一步,于所述单晶硅衬底背光面的单位面积内,费雷特直径在1.5μm-2.5μm范围内的金字塔数量占总金字塔数量的比值为30%-70%。
进一步,于所述单晶硅衬底背光面的单位面积内,费雷特直径在1.5μm-2μm范围内的金字塔数量占比为10%-30%,费雷特直径在2μm-2.5μm范围内的金字塔数量占比为20%-40%。
进一步,于所述单晶硅衬底背光面的单位面积内,费雷特直径小于1μm的金字塔数量占比不大于10%,费雷特直径在1μm-1.5μm范围内的金字塔数量占比为10%-20%,费雷特直径在2.5μm-3μm范围内的金字塔数量占比为5%-20%,费雷特直径大于3μm的金字塔数量占比小于5%。
进一步,于所述单晶硅衬底的背光面,金字塔的费雷特直径均不大于4μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的