[实用新型]肖特基二极管

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：

衬底；

缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底的一侧；

漂移区，所述漂移区位于所述缓冲层远离所述衬底的一侧；

第二外延层，所述第二外延层设于所述漂移区远离所述缓冲层的一侧且所述第二外延层内具有沟槽；

重掺杂区，所述重掺杂区位于所述漂移区内且位于所述沟槽的底部；

结型场效应区，所述结型场效应区位于相邻的两个所述重掺杂区之间；

第一金属层，所述第一金属层覆盖所述沟槽侧壁处的所述第二外延层，以及所述沟槽的底部的所述重掺杂区，并与所述重掺杂区处形成欧姆接触，与所述沟槽侧壁处的第二外延层形成肖特基接触；

以及

第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述衬底的远离所述缓冲层的一侧，所述第二电极位于所述漂移区的远离所述衬底的一侧，所述第二电极在所述肖特基接触和所述欧姆接触的上方且与所述肖特基接触和所述欧姆接触电连接。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述衬底、所述缓冲层、所述漂移区和所述第二外延层具有第一掺杂类型，所述结型场效应区为第一类型结型场效应区；

所述重掺杂区具有第二掺杂类型。

3.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述衬底以及缓冲层均为重掺杂，所述漂移区和所述第二外延层为轻掺杂。

4.根据权利要求3所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二外延层的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度。

5.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述结型场效应区的掺杂浓度不低于所述漂移区的掺杂浓度。

6.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述重掺杂区的掺杂浓度大于1×e¹⁸cm^-3。

7.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述重掺杂区的宽度大于所述沟槽的底部宽度。

8.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述沟槽的深度大于0.5微米。

9.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，进一步包括以下结构的至少之一：

介质层，所述介质层至少位于所述第二外延层远离所述漂移区的一侧且覆盖台面上的大部分区域，所述第一金属层覆盖所述介质层未与所述第二外延层接触的表面，形成所述介质层的材料包括SiO2和SiN中的至少一种。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管满足以下条件的至少之一：

形成所述衬底的材料包括SiC、Si、GaN以及Ga2O3的至少之一；

形成所述第一金属层的材料包括Ti、Mo、W、Ni、Pt以及MoN的至少之一。