[实用新型]肖特基二极管

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，所述外延层位于所述衬底的一侧，所述外延层包括漂移区、第二掺杂类型区和多个孤立的结型场效应区，所述漂移区和所述结型场效应区具有第一掺杂类型，所述第二掺杂类型区和所述结型场效应区位于所述漂移区远离所述衬底的一侧，所述第二掺杂类型区环绕所述结型场效应区设置且连通，所述第二掺杂类型区包括第一子区域和第二子区域，所述第一子区域和所述第二子区域分别位于相邻两个所述结型场效应区之间，且所述第二子区域的面积大于所述第一子区域的面积；

第一金属层，所述第一金属层位于所述外延层远离所述衬底的一侧，并与所述第二掺杂类型区形成欧姆接触；

第二金属层，所述第二金属层覆盖所述外延层和所述第一金属层，并与所述结型场效应区形成肖特基接触；以及

阴极和阳极，所述阴极位于所述衬底远离所述外延层的一侧，所述阳极位于所述第二金属层远离所述外延层的一侧。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二子区域的面积大于所述结型场效应区的面积。

3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一金属层在所述衬底上的正投影，位于所述第二子区域在所述衬底上的正投影范围内。

4.根据权利要求1或3所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二子区域具有朝向所述衬底的凸起，以及环绕所述凸起的环绕部，所述凸起的宽度大于所述环绕部的宽度。

5.根据权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述外延层远离所述衬底的一侧具有凹槽，所述凹槽在所述衬底上的正投影，与所述凸起在所述衬底上的正投影重合。

6.根据权利要求5所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一金属层设置在所述凹槽中。

7.根据权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二子区域具有多个所述凸起，多个所述凸起在沿所述外延层厚度的方向上依次排列且连通。

8.根据权利要求7所述的肖特基二极管，其特征在于，每个所述凸起的深度小于1微米。

9.根据权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述结型场效应区和所述第二掺杂类型区位于所述肖特基二极管的有源区内，在所述有源区内，所述结型场效应区的总面积大于所述凸起的总面积。

10.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述结型场效应区的掺杂浓度大于等于所述漂移区的掺杂浓度。