[实用新型]一种新的EEPROM存储阵列保护装置

说明书

本实用新型提出一种新的EEPROM存储阵列保护装置，其特征在减少了保护单元的器件同时减小了保护单元的面积，从而缩减了EEPROM储存阵列的整体面积；提高EEPROM存储阵列的可靠性；降低由于应力或者其他外界力对EEPROM存储阵列的损坏率；减少芯片内部模块或者外界的信号干扰对EEPROM存储阵列的影响。

技术领域

本实用新型属于集成电路技术领域，具体来讲，属于独立的EEPROM芯片设计和以EEPROM为IP核的相关芯片设计的技术领域。

背景技术

现今，EEPROM已成为消费电子，手机，汽车电子，以及射频识别标签以及卡类芯片领域应用非常广泛的非挥发性存储器，它用来存储识别码或其他数据，EEPROM的容量可以从几比特到几万比特。

在EEPROM存储器设计中，速度、功耗和面积是三个最基本也是最关键的设计指标。一个典型的EEPROM电路包括：EEPROM存储单元、数字同步控制逻辑、行/列译码电路、读电路、高压电荷泵、读/写切换电路，以及时钟产生器和电源管理电路。

EEPROM电路的典型结构如图1所示。1)数字同步控制逻辑电路是EEPROM工作的控制模块，其主要的作用是接收系统发出的指令，在解析系统指令后，对各个功能模块发出更具体的操作指令,协调完成读/写操作；2)读电路是读操作核心模块，其主要由灵敏放大器(sense amplifier-SA)组成,根据EEPROM存储器架构，如果需要同时并行输出16位数据，则需要采用由16个并列的灵敏放大器组成的阵列(SA_Array)；3)行/列译码器用于地址译码，选定需要操作的存储单元。为了减小面积与延时,译码器通常采用分步译码的方式搭建电路；4)读/写切换电路主要由电平移位电路与电压选择模块组成；5)EEPROM数据改写的基本原理是FN隧穿，其需要工作在大于15.5V的高压电场下。

EEPROM设计的核心问题之一即是EEPROM存储阵列的设计，其直接影响了EEPROM存储器的性能和面积。在图2中，同一page中所有存储单元的字线WL短接，不同page相同地址的存储单元的位线BL短接。字线WL共计16根，分别编号为：WL0、WL1、…、WL15；位线共计64根，分别编号为BL0、BL1、…、BL63。在该EEPROM存储器阵列上下左右四个方向分别布置了一列保护(dummy)单元，保护单元起到了保护存储器阵列和提高性能可靠性的目的，但是阵列上下方向分别布置的一列保护单元和一列存储单元的面积相同，这样就增加了存储阵列的整体面积。

发明内容

本实用新型提出一种新的EEPROM存储阵列保护装置，由EEPROM存储阵列上下两组保护装置构成，在EEPROM存储阵列上面的保护装置由SG器件组成；在EEPROM存储阵列下面的保护装置由CG器件和BSG器件组成。

本实用新型提出一种新的EEPROM存储阵列保护装置，其特征在于减少了保护单元的器件同时减小了保护单元的面积，从而缩减了EEPROM储存阵列的整体面积；提高EEPROM存储阵列的可靠性；降低由于应力或者其他外界力对EEPROM存储阵列的损坏率；减少芯片内部模块或者外界的信号干扰对EEPROM存储阵列的影响。

附图说明

图1为EEPROM电路架构。

图2为普通EEPROM存储阵列的保护装置。

图3为本实用新型EEPROM存储阵列的保护装置。

具体实施方式

以下根据图2和图3，具体说明较佳实施例。

如图2所示，普通EEPROM存储阵列上下保护装置由CG器件串联SG器件以及BSG器件组成；在EEPROM存储阵列中，CG、SG和BSG器件都属于高压工艺器件，面积比较大。

如图3所示，本实用新型EEPROM存储阵列保护装置，在EEPROM存储阵列上面，所述保护装置由SG器件组成；在EEPROM存储阵列的下面，所述保护装置由CG器件以及BSG器件组成。