[实用新型]阻挡MOS管的寄生二极管导通的电路及电荷泵有效
| 申请号： | 202022131966.2 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN212367240U | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 李征 | 申请（专利权）人： | 江苏应能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京泽方誉航专利代理事务所(普通合伙) 11884 | 代理人： | 陈照辉 |
| 地址： | 213022 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻挡 mos 寄生 二极管 电路 电荷 | ||
1.一种阻挡MOS管的寄生二极管导通的电路，其特征在于，该电路包括主MOS管和辅助MOS管；其中，所述主MOS管的栅极与所述辅助MOS管的栅极连接；所述主MOS管的基极与所述辅助MOS管的源极、所述辅助MOS管的基极连接；所述主MOS管的源极与所述辅助MOS管的漏极连接。
2.根据权利要求1所述的阻挡MOS管的寄生二极管导通的电路，其特征在于，所述主MOS管与所述辅助MOS管均为P型MOS管，其中，所述主MOS管的栅极G1与所述辅助MOS管的栅极G2连接，所述主MOS管的基极B1与所述辅助MOS管的源极S2、所述辅助MOS管的基极B2连接，所述主MOS管的源极S1与所述辅助MOS管的漏极D2连接，所述主MOS管的漏极D1与主MOS管的寄生二极管D1A的阳极连接，所述寄生二极管D1A的阴极与所述主MOS管的二极管D1B的阴极、所述主MOS管的基极B1连接，所述二极管D1B的阳极与所述主MOS管的源极S1连接，所述辅助MOS管的二极管D2A的阳极与辅助MOS管的漏极D2连接，所述二极管D2A的阴极与所述辅助MOS管的源极S2连接。
3.根据权利要求1所述的阻挡MOS管的寄生二极管导通的电路，其特征在于，所述主MOS管与所述辅助MOS管均为N型MOS管，其中，所述主MOS管的栅极G3与所述辅助MOS管的栅极G4连接，所述主MOS管的基极B3与所述辅助MOS管的源极S3、所述辅助MOS管的基极B4连接，所述主MOS管的源极S3与所述辅助MOS管的漏极D4连接，所述主MOS管的漏极D3与主MOS管的寄生二极管D3A的阴极连接，所述寄生二极管D3A的阳极与所述主MOS管的二极管D3B的阳极、所述主MOS管的基极B3连接，所述二极管D3B的阴极与所述主MOS管的源极S3连接，所述辅助MOS管的二极管D4A的阴极与辅助MOS管的漏极D4连接，所述二极管D4A的阳极与所述辅助MOS管的源极S4连接。
4.一种电荷泵，其特征在于，该电荷泵采用权利要求1至3任一项所述的阻挡MOS管的寄生二极管导通的电路。
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