[实用新型]一种基于碳化硅的槽型肖特基PIN二极管

权利要求书

1.一种基于碳化硅的槽型肖特基PIN二极管，其特征在于，包括：半导体衬底(1)，在半导体衬底(1)上的N型重掺杂区(2)，在N型重掺杂区(2)上的N型轻掺杂区(3)，在N型轻掺杂区(3)上的金属区(6)，该金属区(6)设置在N型轻掺杂区(3)中间，在N型轻掺杂区(3)和金属区(6)上表面的硅氧化物区(7)，在硅氧化物区(7)上的P型掺杂区(5)和低掺杂本征半导体区(4)，该低掺杂本征半导体区(4)设置在P型掺杂区(5)的两侧，覆盖P型掺杂区(5)上表面、且在P型掺杂区(5)中间贯穿P型掺杂区(5)并延伸至金属区(6)上表面的正极，在低掺杂本征半导体区(4)上表面的绝缘区(8)，在N型重掺杂区(2)上表面的负极。

2.根据权利要求1所述的一种基于碳化硅的槽型肖特基PIN二极管，其特征在于，N型轻掺杂区(3)上的金属区(6)的两侧和下表面到N型重掺杂区(2)之间的距离相等。

3.根据权利要求1所述的一种基于碳化硅的槽型肖特基PIN二极管，其特征在于，金属区(6)的材料为金属铜材料或者金属铝材料或者贵金属材料。

4.根据权利要求1所述的一种基于碳化硅的槽型肖特基PIN二极管，其特征在于，该器件的正极和负极材料采用金属铜材料或者金属铝材料。

5.根据权利要求1所述的一种基于碳化硅的槽型肖特基PIN二极管，其特征在于，在N型轻掺杂区(3)和金属区(6)上表面的硅氧化物区(7)的宽度要比金属区(6)的宽度大。

6.根据权利要求1所述的一种基于碳化硅的槽型肖特基PIN二极管，其特征在于，半导体衬底材料为半导体SiC基材料。