[实用新型]一种场效应晶体管对管测试装置

权利要求书

1.一种场效应晶体管对管测试装置，其特征在于，包括：

场效应晶体管对管选择电路，与场效应晶体管对管连接；

检测电路，与所述场效应晶体管对管选择电路连接；

控制器，分别与所述场效应晶体管对管选择电路和所述检测电路连接，用于控制所述场效应晶体管对管选择电路与所述场效应晶体管对管其中一个场效应晶体管导通，还用于控制所述检测电路对导通的所述场效应晶体管进行检测。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管对管测试装置，其特征在于，所述场效应晶体管对管选择电路包括：第一继电器和第二继电器；

所述第一继电器一端与所述控制器连接，另一端分别与所述场效应晶体管对管的两个场效应晶体管的漏极连接；

所述第一继电器二端与所述控制器连接，另一端分别与所述场效应晶体管对管的两个场效应晶体管的栅极连接。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管对管测试装置，其特征在于，所述场效应晶体管对管选择电路包括：第一继电器、第二继电器和继电器驱动器；

所述继电器驱动器一端与所述控制器连接，另一端分别与所述第一继电器和所述第二继电器连接；

所述第一继电器分别与所述场效应晶体管对管的两个场效应晶体管的漏极连接；

所述第二继电器分别与所述场效应晶体管对管的两个场效应晶体管的栅极连接。

4.根据权利要求2-3中任一项所述的场效应晶体管对管测试装置，其特征在于，所述检测电路包括：采样电阻、仪表放大器、模数转换器、数模转换器和程控电源模块；

所述采样电阻一端经所述第一继电器与所述场效应晶体管对管的两个场效应晶体管的漏极连接，另一端与所述程控电源模块连接；

所述程控电源模块一端与所述采样电阻连接，另一端与所述控制器连接；

所述仪表放大器的输入端连接在所述采样电阻两端，用于检测所述采样电阻两端的电压；

所述仪表放大器的输出端经所述模数转换器与所述控制器连接；

所述数模转换器连接在所述控制器与所述第二继电器之间。

5.根据权利要求4所述的场效应晶体管对管测试装置，其特征在于，所述仪表放大器为AD620。

6.根据权利要求1所述的场效应晶体管对管测试装置，其特征在于，所述装置还包括：隔离器，所述隔离器设置在所述控制器与所述检测电路之间，用于减小所述控制器中的数字电路对所述检测电路的干扰。

7.根据权利要求1所述的场效应晶体管对管测试装置，其特征在于，所述装置还包括：隔离器，所述隔离器设置在所述控制器与所述场效应晶体管对管选择电路之间，用于减小所述控制器中的数字电路对所述场效应晶体管对管选择电路的干扰。

8.根据权利要求6-7中任一项所述的场效应晶体管对管测试装置，其特征在于，所述隔离器为HCPL-0661。

9.根据权利要求1所述的场效应晶体管对管测试装置，其特征在于，所述装置还包括：上位机，所述上位机与所述控制器连接。

10.根据权利要求1所述的场效应晶体管对管测试装置，其特征在于，所述场效应晶体管对管包括两个结型场效应晶体管，两个所述结型场效应晶体管均为N沟道结型场效应晶体管或P沟道结型场效应晶体管。