[实用新型]一种可监测温度的IGBT功率半导体模块结构

权利要求书

1.一种可监测温度的IGBT功率半导体模块结构，其特征在于，包括基板(1)，所述基板(1)上端中部通过锡膏烧结有主DBC板(2)，所述主DBC板(2)上通过锡膏烧结有IGBT芯片(3)和FRD芯片(4)，所述IGBT芯片(3)和FRD芯片(4)之间通过铝线超声键合，主DBC板(2)上端设有功率端子触点(5)；

所述基板(1)上端一侧通过锡膏烧结有第一辅助DBC板(6)，所述第一辅助DBC板(6)上端承载有热敏电阻(7)，第一辅助DBC板(6)上端还设有与热敏电阻(7)电连接的温度信号输出触点(8)；

所述基板(1)上端另外一侧通过锡膏烧结有第二辅助DBC板(9)，所述第二辅助DBC板(9)上端设有信号端子触点(10)；

所述基板(1)连接有壳体(14)，所述壳体(14)上端连接有引线端子(11)、信号端子(12)和功率端子(13)，所述引线端子(11)与所述温度信号输出触点(8)电连接，所述信号端子(12)与所述信号端子触点(10)电连接，所述功率端子(13)与所述功率端子触点(5)电连接。

2.根据权利要求1所述的一种可监测温度的IGBT功率半导体模块结构，其特征在于，所述基板(1)与所述壳体(14)的四角处均设有固定孔(15)，基板(1)与壳体(14)通过螺丝固定连接。

3.根据权利要求2所述的一种可监测温度的IGBT功率半导体模块结构，其特征在于，所述壳体(14)的边角处形成有缺口(16)，所述固定孔(15)位于所述缺口(16)的底部。

4.根据权利要求2所述的一种可监测温度的IGBT功率半导体模块结构，其特征在于，所述壳体(14)覆盖在所述功率端子触点(5)、温度信号输出触点(8)和信号端子触点(10)上方。

5.根据权利要求1所述的一种可监测温度的IGBT功率半导体模块结构，其特征在于，所述基板(1)外接有制冷器。

6.根据权利要求1所述的一种可监测温度的IGBT功率半导体模块结构，其特征在于，所述引线端子(11)电连接有单片机，单片机用于对接收的热敏电阻(7)的温度信号进行处理；所述单片机电连接有显示器，显示器用于显示IGBT功率半导体模块的温度。