[实用新型]一种CT平板探测器有效
申请号: | 202022175927.2 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN213340376U | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 刘洪斌 | 申请(专利权)人: | 刘洪斌 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B6/00;A61B6/03 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;曹万菊 |
地址: | 510000 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ct 平板 探测器 | ||
1.一种CT平板探测器,其特征在于,所述CT平板探测器包括由多行与多列的像素矩阵组成的X线成像传感器及外围电路,所述像素矩阵中的每个单元称为阵元,所有阵元均集成在基板上,所述外围电路包括后级运算放大器、模数转换器及缓存器;
所述像素矩阵的上面还设有闪烁体层,以将X射线转化为可见光,并将可见光传给光电二极管进行光电转换;
所述像素矩阵中的每个阵元包括一个光电二极管,所述光电二极管用于将采集的光信号转换为电信号;
所述像素矩阵中的每个阵元有一个数据输出口,每个阵元的数据通过所述数据输出口单独输出给各自独立的后级运算放大器与模数转换器,单个阵元及其外围电路中的后级运算放大器与模数转换器等组成的数据采集与处理单元合称为采集单元;
每个采集单元的控制信号包括起开关功能并用于控制数据读出的读数信号和起复位功能的重置信号,所述CT平板探测器上所有采集单元的读数信号相互连接,使得所述CT平板探测器上的所有采集单元受同一读数信号的控制而同时读取数据,所述CT平板探测器上所有采集单元的重置信号相互连接,使得所述CT平板探测器上的所有采集单元受同一重置信号的控制而同时复位;
所述CT平板探测器以每行为单位进行扫描,其中每个阵元需要同时采集数据来获得一组投影矩阵,每行扫描至少一圈或至少半圈获得一个切面的投影矩阵,经软件计算重建出这个切面的图像,不同行的阵元需要同时扫描获得不同切面的投影矩阵,所述CT平板探测器扫描至少一圈或至少半圈获得各行对应的各切面图像。
2.根据权利要求1所述的CT平板探测器,其特征在于,每个采集单元的读数信号与重置信号均被直接输入阵元内部,所述像素矩阵中的每个阵元还包括一个复位用TFT、一个读数用TFT及至少一个放大用TFT,所述复位用TFT用于对所述光电二极管的电信号进行复位,所述读数用TFT受读数信号的控制而控制数据的输出,所述放大用TFT用于对所述光电二极管的电信号进行放大处理;
所述CT平板探测器利用所述光电二极管自身的结电容存储采集数据。
3.根据权利要求1所述的CT平板探测器,其特征在于,每个采集单元的读数信号与重置信号均被直接输入阵元内部,所述像素矩阵中的每个阵元还包括一个复位用TFT及至少一个放大用TFT,所述复位用TFT用于对所述光电二极管的电信号进行复位,所述放大用TFT用于对所述光电二极管的电信号进行放大处理;
每个阵元中放大用TFT受读数信号的控制,对光电二极管产生的电信号进行放大处理的同时控制数据的输出;
所述CT平板探测器利用所述光电二极管自身的结电容存储采集数据。
4.根据权利要求1所述的CT平板探测器,其特征在于,每个采集单元的读数信号被输入阵元外部,利用外围电路中的读数用场效应管控制数据的输出,所述像素矩阵中的每个阵元还包括一个复位用TFT及至少一个放大用TFT,所述复位用TFT用于对所述光电二极管的电信号进行复位,所述放大用TFT用于对所述光电二极管的电信号进行放大处理;
所述CT平板探测器利用所述光电二极管自身的结电容存储采集数据。
5.根据权利要求1所述的CT平板探测器,其特征在于,每个采集单元的读数信号被直接输入阵元内部,所述像素矩阵中的每个阵元还包括一个复位用TFT及一个读数用TFT,所述复位用TFT用于对所述光电二极管的电信号进行复位,所述读数用TFT受读数信号的控制而控制数据的输出。
6.根据权利要求1所述的CT平板探测器,其特征在于,每个采集单元的读数信号被输入阵元外部,利用外围电路中的读数用场效应管控制数据的输出,所述像素矩阵中的每个阵元还包括一个复位用TFT,所述复位用TFT用于对所述光电二极管的电信号进行复位。
7.根据权利要求1所述的CT平板探测器,其特征在于,每个采集单元的读数信号与重置信号均被输入阵元外部,利用外围电路中的读数用场效应管控制数据的输出,并利用外围电路中的复位用场效应管给阵元内的光电二极管复位。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘洪斌,未经刘洪斌许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022175927.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高分子防水卷材的转运装置
- 下一篇:一种水污染治理用的净化装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的