[实用新型]高频率全带宽降频电路及降频器有效
申请号: | 202022176239.8 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN213186293U | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 叶远龙 | 申请(专利权)人: | 珠海市普斯赛特科技有限公司 |
主分类号: | H04N5/44 | 分类号: | H04N5/44;H04N5/50 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 张龙哺 |
地址: | 519060 广东省珠海市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 频率 带宽 电路 降频器 | ||
1.一种高频率全带宽降频电路,其特征在于,包括:
一级放大器I(100),输入端用于连接水平极化天线(110);
一级放大器II(200),输入端用于连接垂直极化天线(210);
二级放大器(300),输入端分别与所述一级放大器I(100)的输出端和所述一级放大器II(200)的输出端连接;
带通微带滤波器(400),输入端与所述二级放大器(300)的输出端连接;
锁相器(500),输入端与所述带通微带滤波器(400)的输出端连接,所述锁相器(500)连接有石英晶体振荡器(510);
信号输出接口(600),连接有阻抗匹配电路(610),并通过所述阻抗匹配电路(610)与所述锁相器(500)的输出端连接。
2.根据权利要求1所述的高频率全带宽降频电路,其特征在于,所述一级放大器I(100)和所述一级放大器II(200)均分别包括MOS管,所述MOS管的栅极连接有第一限流电阻,并通过所述第一限流电阻与所述锁相器(500)的第一供电输出端连接,所述第一限流电阻还连接有第一滤波电容,并通过所述第一滤波电容接地,所述MOS管的源极接地,所述MOS管的漏极与所述锁相器(500)的第二供电输出端连接,所述MOS管连接有第二滤波电容,并通过所述第二滤波电容接地,所述MOS管的漏极还与所述二级放大器(300)连接。
3.根据权利要求2所述的高频率全带宽降频电路,其特征在于,所述MOS管的栅极与所述第一限流电阻之间串接有第一微带电感,所述MOS管的漏极与所述锁相器(500)的第二供电输出端之间串接有第二微带电感。
4.根据权利要求1、2或3所述的高频率全带宽降频电路,其特征在于,所述二级放大器(300)的输入端连接有微带双工器(310),并通过所述微带双工器(310)分别与所述一级放大器I(100)的输出端和所述一级放大器II(200)的输出端连接。
5.根据权利要求1所述的高频率全带宽降频电路,其特征在于,所述带通微带滤波器(400)的频带为3.7GHz~4.8GHz,所述石英晶体振荡器(510)的振荡频率为5.75GHz。
6.根据权利要求1或5所述的高频率全带宽降频电路,其特征在于,所述带通微带滤波器(400)包括多根错位排列的微带线,每根所述微带线接地。
7.根据权利要求1所述的高频率全带宽降频电路,其特征在于,所述阻抗匹配电路(610)包括第一耦合电容、第一电阻和第三微带电感,所述第一耦合电容的第一端与所述锁相器(500)的输出端连接,所述第一耦合电容的第二端与所述第一电阻的第一端连接,所述第一电阻的第二端分别与所述第三微带电感和所述信号输出接口(600)连接。
8.根据权利要求7所述的高频率全带宽降频电路,其特征在于,还包括稳压电路(700),所述稳压电路(700)的输入端与所述第三微带电感连接,并通过所述第三微带电感与所述信号输出接口(600)连接,所述稳压电路(700)的输出端分别与所述锁相器(500)的电源端和所述二级放大器(300)的电源端连接。
9.一种高频率全带宽降频器,其特征在于,包括权利要求1至8任意一项所述的高频率全带宽降频电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海市普斯赛特科技有限公司,未经珠海市普斯赛特科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022176239.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:四输出降频器
- 下一篇:内置UHF降频电路及降频器