[实用新型]一种沟槽MOSFET结构有效
| 申请号： | 202022178434.4 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN213366603U | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;胡瞳腾 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589 | 代理人： | 叶垚平;李立 |
| 地址： | 518049 广东省深圳市福田区梅林*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet 结构 | ||
1.一种沟槽MOSFET结构，其特征在于：包括衬底和外延层，所述外延层设置在所述衬底上，所述外延层中设置有沟槽、氧化层以及多晶硅，所述氧化层设置在所述沟槽中，所述多晶硅设置在所述氧化层的表面且所述多晶硅填充所述沟槽，所述氧化层包覆所述多晶硅，所述外延层的表面设置有第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第二掺杂区和第三掺杂区设置在所述第一掺杂区的表面，所述第三掺杂区设置在相邻的所述第二掺杂区之间，所述氧化层的上表面、第二掺杂区的部分侧面、第二掺杂区的上表面、第三掺杂区的上表面设置有金属。
2.如权利要求1所述的一种沟槽MOSFET结构，其特征在于：所述氧化层包括第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层，所述第一氧化层设置在所述沟槽内壁的底面，所述第二氧化层设置在所述沟槽内壁的侧面，所述第三氧化层设置在多晶硅的上表面，所述第二氧化层的两侧分别与所述第一氧化层、第三氧化层连接。
3.如权利要求2所述的一种沟槽MOSFET结构，其特征在于：所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度，所述第一氧化层的厚度为150-600nm，所述第二氧化层的厚度为15-80nm。
4.如权利要求3所述的一种沟槽MOSFET结构，其特征在于：所述第三氧化层的厚度为100-350nm，所述第三氧化层的上表面低于所述第二掺杂区、第三掺杂区的上表面。
5.如权利要求1所述的一种沟槽MOSFET结构，其特征在于：所述第二掺杂区的宽度为50-300nm，所述第三掺杂区的宽度为100-500nm，所述第三掺杂区的两侧到对应沟槽之间的距离相等，且所述距离等于所述第二掺杂区的宽度。
6.如权利要求5所述的一种沟槽MOSFET结构，其特征在于：所述沟槽的深度为1-7um，所述沟槽的深度小于所述外延层的厚度。
7.如权利要求6所述的一种沟槽MOSFET结构，其特征在于：所述第二掺杂区的下表面低于所述多晶硅的上表面，所述第三掺杂区的深度小于所述第一掺杂区的深度。
8.如权利要求1-7中任一项所述的一种沟槽MOSFET结构，其特征在于：所述衬底为N型，所述外延层为N型，所述第一掺杂区和第三掺杂区为P型，所述第二掺杂区为N型；或所述衬底为P型，所述外延层为P型，所述第一掺杂区和第三掺杂区为N型，所述第二掺杂区为P型。
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