[实用新型]一种GOA电路、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 202022181710.2 | 申请日: | 2020-09-27 |
公开(公告)号: | CN212782681U | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 杜瑞芳;马兰州;钱海蛟;马小叶 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G09G3/3266;G02F1/1345;H01L27/32 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉 |
地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 goa 电路 阵列 显示装置 | ||
1.一种GOA电路,其特征在于,包括
GOA区域,所述GOA区域包括多个相互级联的GOA单元电路;
引线区域,所述引线区域包含一端与至少一个所述GOA单元电路连接的STV信号线,以及一端与至少一个所述GOA单元电路连接的非STV信号线,所述非STV信号线至少包括Vdd信号线、Clk信号线、VGH信号线、VGL信号线中的一个;
所述STV信号线与所述非STV信号线的另一端与驱动芯片连接;
所述引线区域包含靠近所述GOA单元的区域和远离所述GOA单元的区域,所述STV信号线从所述驱动芯片延伸到所述引线区域中的所述远离所述GOA单元的区域并绕过所述非STV信号线延伸到所述GOA区域与所述至少一个所述GOA单元电路连接,绕过所述非STV信号线延伸到所述GOA区域的STV信号线与所述非STV信号线无交叠。
2.根据权利要求1所述的GOA电路,其特征在于,还包括与所述STV信号线不同层设置的静电释放电极,所述静电释放电极与所述STV信号线中的绕过所述非STV信号线延伸到所述GOA区域的部分存在交叠区域。
3.根据权利要求2所述的GOA电路,其特征在于,所述静电释放电极为蛇形线结构,并且所述蛇形线结构的静电释放电极的覆盖区域的宽度不小于所述STV信号线的宽度。
4.根据权利要求2所述的GOA电路,其特征在于,还包括与所述STV信号线间隔设置的辅助信号线;
所述辅助信号线配置为一端能够与所述驱动芯片连接,从所述驱动芯片延伸并沿所述STV信号线绕过所述非STV信号线,使得所述辅助信号线与所述非STV信号线无交叠;
所述辅助信号线的另一端与所述静电释放电极电连接。
5.根据权利要求4所述的GOA电路,其特征在于,
所述辅助信号线和所述STV信号线连接到所述驱动芯片的同一个信号输出口。
6.根据权利要求4所述的GOA电路,其特征在于,
所述STV信号线与GOA电路中的晶体管的栅极层、或者源极和漏级层中的一个同层并同材料形成;
所述辅助信号线与GOA电路中的晶体管的栅极层、或者源极和漏级层中的一个同层并同材料形成;
所述静电释放电极与GOA电路中的晶体管的栅极层、或者源极和漏级层中不同于所述STV信号线的一个同层并同材料形成。
7.根据权利要求5所述的GOA电路,其特征在于,
所述STV信号线和辅助信号线同层设置,所述辅助信号线通过第一过孔与所述静电释放电极电连接;
或者
所述STV信号线和辅助信号线不同层设置,所述辅助信号线与所述静电释放电极电连接。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的GOA电路,其特征在于,还包括位于所述引线区域远离所述GOA区域的公共电极区域;
所述STV信号线从所述驱动芯片引出并沿所述公共电极区域的第一方向延伸,绕过所述非STV信号线并沿所述公共电极区域的第二方向延伸到所述GOA区域与所述至少一个所述GOA单元电路连接,所述第一方向与所述第二方向垂直。
9.一种阵列基板,其特征在于,包括如权利要求1-8中任一项所述的GOA电路。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的阵列基板。
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