[实用新型]一种气道冲洗治具有效
申请号: | 202022184081.9 | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN212848328U | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 杨苏圣 | 申请(专利权)人: | 湖州科秉电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 周孝林 |
地址: | 313000 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 冲洗 | ||
1.一种气道冲洗治具,其特征在于,包括平台(1)以及设置于所述平台(1)上的通水治具(2),所述通水治具(2)上设置有一容纳空间(20),将喷洒头(3)放置于所述通水治具(2)内后,向通水治具(2)内通入超纯水,以对喷洒头(3)内的气道(30)进行冲洗。
2.根据权利要求1所述的一种气道冲洗治具,其特征在于,还包括若干组进水管(4),所述通水治具(2)的底面上开设有若干个通水孔(21),所述进水管(4)对应从该通水治具(2)的底部与所述通水孔(21)相连通设置。
3.根据权利要求2所述的一种气道冲洗治具,其特征在于,所述通水治具(2)的内底面上同心开设有一环槽(22),至少一个所述通水孔(21)设置于所述环槽(22)内。
4.根据权利要求2所述的一种气道冲洗治具,其特征在于,所述通水治具(2)为圆盘形结构,若干个所述通水孔(21)沿通水治具(2)的径向方向设置。
5.根据权利要求2所述的一种气道冲洗治具,其特征在于,所述平台(1)包括底座(11)以及设置于所述底座(11)上且用于承托所述通水治具(2)的双层台(12)。
6.根据权利要求5所述的一种气道冲洗治具,其特征在于,所述双层台(12)包括下台面(121)以及与所述下台面(121)上下间隔设置的上台面(122),所述上台面(122)的中心开设有与所述通水治具(2)的外形尺寸相适配的安装槽(102),所述通水治具(2)放置于所述下台面(121)上并限位于所述安装槽(102)内。
7.根据权利要求6所述的一种气道冲洗治具,其特征在于,所述下台面(121)的中部沿长度方向开设有用于安装所述进水管(4)的通槽(101)。
8.根据权利要求1所述的一种气道冲洗治具,其特征在于,所述通水治具(2)可承受3kg的水压。
9.根据权利要求1所述的一种气道冲洗治具,其特征在于,所述通水治具(2)采用PP材质。
10.根据权利要求1所述的一种气道冲洗治具,其特征在于,所述喷洒头(3)放置于所述容纳空间(20)内时,喷洒头(3)上具有薄石英(31)的出气道一面朝上放置;所述喷洒头(3)的进气道设置有用作超纯水进入管道的夹具,壁面注水时所述夹具松脱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造