[实用新型]一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器

权利要求书

1.一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器，包括设置在总熔体空间内的器壁，所述器壁所围成的空间形成晶体生长区，所述晶体生长区与所述总熔体空间同轴，其特征在于：

所述器壁上加工有至少一个通孔；

所述通孔用于所述总熔体空间内的熔体进入所述晶体生长区内；

所述通孔位于所述晶体生长区内的熔体液面以下；

当只具有一个所述通孔时，所述通孔的横截面积0.1mm²≤S≤5024mm²；

当具有多个所述通孔时，所有所述通孔的横截面积之和0.1mm²≤S_总≤5024mm²。

2.根据权利要求1所述的一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器，其特征在于：

所述通孔的上沿与所述晶体生长区内的熔体液面之间的距离h≧10mm。

3.根据权利要求1或2所述的一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器，其特征在于：

当形成熔体的硅料纯度≧99.99999％，且晶体生长区内熔体形成的单晶硅的生长速度K≧5kg/h时，若只有一个所述通孔，则所述通孔的横截面积S≧1mm²，若具有多个所述通孔时，所有所述通孔的横截面积之和S_总≧1mm²；

当形成熔体的硅料纯度≤99.999％，且晶体生长区内熔体形成的单晶硅的生长速度K≤2kg/h时，若只有一个所述通孔，则所述通孔的横截面积S≤2mm²，若具有多个所述通孔时，所有所述通孔的横截面积之和S_总≤2mm²。