[实用新型]废水过滤装置、废水过滤系统及废气处理装置有效

专利信息
申请号: 202022192542.7 申请日: 2020-09-29
公开(公告)号: CN213467069U 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 张伟明;乔宗尧;陈立全 申请(专利权)人: 江苏盛剑环境设备有限公司
主分类号: B01D36/02 分类号: B01D36/02;B01D53/18
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 邵泳城
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 废水 过滤 装置 系统 废气 处理
【说明书】:

本申请公开了一种废水过滤装置。废水过滤装置包括收容槽、过滤件及压板,收容槽包括相互连接的底板及侧板,底板上开设有排水孔,侧板连接在底板的周缘并与底板共同围成收容空间;过滤件包括相互连接的过滤段及定位段,过滤段收容在收容空间内并覆盖排水孔,定位段跨过侧板且至少部分位于收容空间外;压板与底板分别位于侧板的相背的两端,压板与侧板共同夹持并固定定位段。本申请还公开了一种废水过滤系统及废气处理装置。过滤件的定位段跨过侧板且至少部分位于收容空间外,压板与侧板共同夹持并固定定位段,使得过滤件的位置相对固定,不容易在废水的冲击下发生偏移或者脱落,废水过滤装置的过滤效果不会因为过滤件发生偏移或者脱落而降低。

技术领域

本申请涉及废水处理技术领域,更具体而言,涉及一种废水过滤装置、废水过滤系统及废气处理装置。

背景技术

在半导体、面板显示器、发光二极管(Light Emitting Diode,LED)、太阳能等领域中,化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition,CVD)/蚀刻(ETCH)/模内装饰技术(In-Mold Decoration,IMP)(离子注入)、扩散(DIFF)等生产工序过程中都会产生工艺废气。以半导体制造为例,半导体设备在生产时产生的工艺废气可以分为如下三类:第一类是易燃易爆气体,如氢气(H2)、甲烷(CH4)、硅烷(SiH4)等;第二类是有毒腐蚀性气体,如砷化氢(AsH3)、磷化氢(PH3)、三氟化硼(BF3)、三氟化氮(NF3)、四氟化硅(SiF4)、氯气(Cl2)、氟化氢(HF)、氟气(F2)、氨气(NH3)等;第三类是温室效应气体如氢氟碳化合物(HFCs)、全氟碳化合物(PFCs)、甲烷(CH4)、一氧化二氮(N2O)、六氟化硫(SF6)等。这些工艺废气可以先被转化为稳定副生物,再通过喷淋的方式进行冲洗,冲洗后的液体即为废水。

废水中通常含有废渣、沉淀物等颗粒物,颗粒物的存在会导致后续难以对废水进行处理,一般会采用过滤设备对废水进行过滤,以去除废水中的颗粒物,过滤设备中通常需要设置一些过滤网、过滤纸等滤料,然而,滤料在废水的冲击下,滤料的位置容易发生偏移甚至是脱落,导致过滤设备对废水的过滤效果变差。

实用新型内容

本申请实施方式提供一种废水过滤装置、废水过滤系统及废气处理装置。

本申请实施方式的废水过滤装置包括收容槽、过滤件及压板,所述收容槽包括相互连接的底板及侧板,所述底板上开设有排水孔,所述侧板连接在所述底板的周缘并与所述底板共同围成收容空间;所述过滤件包括相互连接的过滤段及定位段,所述过滤段收容在所述收容空间内并覆盖所述排水孔,所述定位段跨过所述侧板且至少部分位于所述收容空间外;所述压板与所述底板分别位于所述侧板的相背的两端,所述压板与所述侧板共同夹持并固定所述定位段。

本申请实施方式的废水过滤装置,过滤件的定位段跨过侧板且至少部分位于收容空间外,压板与侧板共同夹持并固定定位段,使得过滤件的位置相对固定,不容易在废水的冲击下发生偏移或者脱落,废水过滤装置的过滤效果不会因为过滤件发生偏移或者脱落而降低。

在某些实施方式中,所述压板开设有定位槽,所述侧板伸入所述定位槽内并与所述压板共同夹持所述定位段;或,所述侧板上开设有定位槽,所述压板伸入所述定位槽内并与所述侧板共同夹持所述定位段。

本实施方式中,压板上开设定位槽,侧板伸入定位槽内并与压板共同夹持定位段;或者,侧板上开设有定位槽,压板伸入定位槽内并与侧板共同夹持定位段;由此,使得定位段的位置不容易被改变。

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