[实用新型]一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构

说明书

本实用新型提供一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构，结构至少包括：焊盘结构，包括衬底、位于所述衬底中的金属填充的TSV深孔、位于所述衬底表面的重布线介质层、以及位于所述重布线介质层上的金属电极，所述重布线介质层表面经过等离子处理而具有粗化结构；胶层，形成于所述重布线介质层上；基板，贴附与所述胶层上。通过添加等离子处理工艺，使重布线介质层的表面变粗糙，使其具有良好的亲水性，从而有利于临时键合胶粘剂流动性，实现临时键合胶与重布线介质层的紧密接触，减少后续的高温CVD过程中气泡的产生，从而降低边缘破裂的风险，可以提高产品的产量并可以增加产率。

技术领域

本实用新型属于先进封装领域，特别是涉及一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构。

背景技术

伴随着集成电路技术的迅速发展以及芯片性能的不断提高，人们对相应的封装技术也提出越来越高的要求。自2010年以来，诸如晶圆级封装(WLP)，硅通孔(TSV)，2.5D转接板，3DIC，扇出等中间封装技术的出现，大大提高了先进封装技术的水平。当前，随着摩尔定律的放慢，封装技术已经成为一种小型化，多功能，降低功耗，提高电子产品带宽的重要手段。先进封装技术正朝着系统集成，高速，高频和3D方向发展。

在2.5D转接板处理平台中，玻璃基板和减薄的硅晶圆需要粘合在一起。然而，在该结合过程中，气泡将在随后的高温CVD中出现。气泡会破坏化学机械抛光(CMP)过程精度。工艺的稳定性受到影响并且产物的产率降低。因此，减少临时键合后续高温CVD过程中产生的气泡是本领域所面临的技术难点，也是提升封装产品质量竞争力的关键。

实用新型内容

在2.5D转接板封装技术中，需要将基板和减薄的硅晶圆临时键合在一起，但是，在后续的高温CVD过程中，键合界面容易产生气泡，影响后续CMP过程精度，降低工艺稳定性和产品良率。

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种减少临时键合过程气泡形成的键合方，用于解决现有技术中临时键合过程产生气泡的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法，包括步骤：1)提供一焊盘结构，包括衬底、位于所述衬底中的金属填充的TSV深孔、位于所述衬底表面的重布线介质层、以及位于所述重布线介质层上的金属电极；2)切去所述衬底的边角；3)采用等离子对所述重布线介质层进行处理，使其表面具有粗化结构，提高所述重布线介质层的亲水性；4)提供基板，利用胶层键合所述焊盘结构与所述基板。

可选地，所述重布线介质层的材质包括PI、环氧树脂、硅胶、BPO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃、含氟玻璃中的一种或两种以上组合。

可选地，所述金属填充包括铜、金、银填充中的一种；所述金属电极为铜-镍-金三层金属电极。

可选地，所述切去衬底边角的方法包括刀片切割及磨轮切割中的一种。

可选地，所述等离子包括采用磁场激发O₂获得的等离子，其中，磁场功率范围介于400～2000W之间，O₂流量范围介于400～1600sccm之间，气压范围介于400～1600mtorr之间，处理时间范围介于20～120秒之间。

可选地，所述胶层包括PI胶、PVB胶、EVA胶中的一种，所述键合的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、塑封工艺、真空层压工艺中的一种，所述基板包括玻璃基板、金属基板、半导体基板、聚合物基板、以及陶瓷基板中的一种。

本实用新型还提供一种键合结构，结构至少包括：焊盘结构，包括衬底、位于所述衬底中的金属填充的TSV深孔、位于所述衬底表面的重布线介质层、以及位于所述重布线介质层上的金属电极，所述重布线介质层表面经过等离子处理而具有粗化结构；胶层，形成于所述重布线介质层上；基板，贴附与所述胶层上。

可选地，所述衬底为切去边角的衬底。