[实用新型]一种半导体器件的外延结构及半导体器件有效
| 申请号： | 202022206942.9 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN213212169U | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张晖;李仕强;张乃千;裴轶 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 外延 结构 | ||
1.一种半导体器件的外延结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底一侧的外延层，所述外延层包括位于所述衬底一侧的成核层以及位于所述成核层远离所述衬底一侧的缓冲层；
其中，所述缓冲层的厚度与所述成核层的厚度成反比例关系。
2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述成核层的厚度为h1，所述缓冲层的厚度为h2；
其中，0.1/h2≤h1≤0.25/h2。
3.根据权利要求2所述的外延结构，其特征在于，h1＝0.17/h2。
4.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述成核层的厚度为h1，所述衬底的厚度为h3；
其中，2*10-5≤h1/h3≤5*10-4。
5.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述成核层的厚度为h1，所述外延层的厚度为h4；
其中，0.05≤h1/h4≤0.3。
6.根据权利要求5所述的外延结构，其特征在于，0.07≤h1/h4≤0.1。
7.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述成核层的厚度为h1，其中，100nm≤h1≤150nm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的外延结构，其特征在于，所述外延层还包括：
位于所述缓冲层远离所述衬底一侧的间隔层；
位于所述间隔层远离所述衬底一侧的势垒层，所述势垒层与所述缓冲层形成异质结结构；
位于所述势垒层远离所述衬底一侧的盖层。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的外延结构，所述外延结构包括衬底以及依次位于所述衬底一侧的成核层、缓冲层、间隔层、势垒层以及盖层；
所述半导体器件还包括：
位于所述势垒层远离所述衬底一侧的源极和漏极：
位于所述盖层远离所述衬底一侧的栅极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间。
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