[实用新型]一种振荡器及芯片

权利要求书

1.一种振荡器，其特征在于，包括：

偏置电压产生电路，用于产生NMOS的偏置电压N_BIAS和PMOS的偏置电压P_BIAS；

振荡器电路，包括环形振荡器，所述环形振荡器根据NMOS的偏置电压N_BIAS和PMOS的偏置电压P_BIAS控制自身的振荡频率；

电源电压检测电路，实时检测电源电压的高低，根据电源电压的高低控制NMOS的偏置电压N_BIAS和PMOS的偏置电压P_BIAS的高低，使环形振荡器的振荡频率不随电源电压的高低而变化；

所述电源电压检测电路与偏置电压产生电路连接，偏置电压产生电路与电源电压检测电路连接。

2.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述电源电压检测电路包括第一电阻R1、第二电阻R2和放大器U1，所述第一电阻R1的一端连接零电位参考点，第一电阻R1的另一端与第二电阻R2一端连接，第二电阻R2另一端接地，第一电阻R1另一端和第二电阻R2一端连接后与放大器U1的正输入端连接，放大器U1的负输入端与偏置电压产生电路连接，放大器U1的输出端与偏置电压产生电路连接。

3.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述振荡器电路包括第一PMOS管PM0、第二PMOS管PM1、第三PMOS管PM2、第四PMOS管PM3、第五PMOS管PM4、第六PMOS管PM5、第一NMOS管NM0、第二NMOS管NM1、第三NMOS管NM2、第四NMOS管NM3、第五NMOS管NM4和第六NMOS管NM5，所述第一PMOS管PM0的漏极连接零电位参考点，第一PMOS管PM0的源极与第二PMOS管PM1的漏极连接，第一PMOS管PM0的栅极连接偏置电压产生电路；第二PMOS管PM1的源极与第一NMOS管NM0的漏极连接，第一NMOS管NM0的栅极与第二PMOS管PM1的栅极连接，第一NMOS管NM0的源极与第二NMOS管NM1的漏极连接，第二NMOS管NM1的源极接地，第二NMOS管NM1的栅极连接偏置电压产生电路；第三PMOS管PM2的漏极连接零电位参考点，第三PMOS管PM2的源极与第四PMOS管PM3的漏极连接，第四PMOS管PM3的源极与第三NMOS管NM2的漏极连接，第三NMOS管NM2的栅极与第四PMOS管PM3的栅极连接，第三NMOS管NM2的源极与第四NMOS管NM3的漏极连接，第四NMOS管NM3的源极接地；第五PMOS管PM4的漏极连接零电位参考点，第五PMOS管PM4的源极与第六PMOS管PM5的漏极连接，第六PMOS管PM5的栅极与第五NMOS管NM4的栅极连接，第六PMOS管PM5的源极与第五NMOS管NM4漏极连接，第五NMOS管NM4的源极与第六NMOS管NM5的漏极连接，第六NMOS管NM5的漏极接地；第二PMOS管PM1的栅极和第一NMOS管NM0的栅极连接在一起后与振荡器OSC连接，第五PMOS管PM4的源极和第六PMOS管PM5的漏极连接在一起后与振荡器OSC连接；第一PMOS管PM0的栅极、第三PMOS管PM2的栅极和第五PMOS管PM4的栅极连接在一起；第二NMOS管NM1的栅极、第四NMOS管NM3的栅极、和第六NMOS管NM5的栅极连接在一起；第二PMOS管PM1的源极和第一NMOS管NM0的漏极连接在一起后与第四PMOS管PM3的栅极与第三NMOS管NM2的栅极的连接点连接在一起，第四PMOS管PM3的源极和第三NMOS管NM2的漏极连接与第六PMOS管PM5的栅极与第五NMOS管NM4的栅极连接点连接在一起。