[实用新型]一种导电及散热性能好硬度低的键合铜线

说明书

本实用新型公开了一种导电及散热性能好硬度低的键合铜线，它涉及半导体封装材料，替代了传统键合铜线，包括铜丝、硅纳米聚合物层，所述硅纳米聚合物层在铜丝表面，所述铜丝直径为0.02至0.07mm,所述硅纳米聚合物层厚度为5‑8um。本实用制得的铜线具有良好的导电及导热性能，制得的铜线硬度小，极易键合，降低了铜线的生产成本，保证了铜线的使用性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种导电及散热性能好硬度低的键合铜线。

背景技术

铜线因其优越的导电及导热性能，所以键合铜线被应用于集成电路、器件半导体等高新技术行业，但铜线极易氧化的特点，使其不能被广泛应用，特别是高端行业一直没有被应用，现有技术是在铜线的表面电镀一层贵金属靶，来防止铜线氧化，但表面镀靶生产成本增加，且其生产出来的铜线硬度大不易键合。

因此一种导电及散热性能良好硬度低的键合铜线应运而生。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种导电及散热性能好硬度低的键合铜线，所制得的产品具有良好的导电、导热性能，且其铜线硬度低，容易键合，满足了半导体封装技术的对铜线性能要求，可替代传统键合铜线。

一种导电及散热性能好硬度低的键合铜线,其特征在于：包括铜丝、硅纳米聚合物层，所述硅纳米聚合物层在铜丝表面，所述铜丝直径为0.02 至0.07mm,所述硅纳米聚合物层厚度为5-8um。

优选的，所述铜丝在惰性气体氖气保护中拉拔成型。

优选的，所述铜丝在经过粗拉及精拉预处理后将硅纳米聚合物附着在铜线表面。

优选的，所述硅纳米聚合物层在惰性气体氖气保护下，附着在铜丝表面。

与现有技术相比，本实用新型的优点包括：采用铜线在经过粗拉及精拉预处理后，在其表面附上一层硅纳米聚合物层，使其具有较低的硬度，可有效降低拉制过程中铜线的断线率，提高铜线合格率。外面的硅纳米聚合物层避免了铜线的氧化，硅纳米聚合物优越的导电及导热性能，保证了铜线具有优越的导电及导热性能。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1是本实用新型实施例中提供的一种导电及散热性能好硬度低的键合铜线的结构示意图，

附图中：1、铜丝；2、硅纳米聚合物层。

具体实施方式

鉴于现有技术中的不足，本案经长期研究和大量实践，得以提出本实用新型的技术方案。如下将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。

图1是本实用新型实施例中提供的一种导电及散热性能好硬度低的键合铜线的结构示意图，一种导电及散热性能好硬度低的键合铜线,其特征在于：包括铜丝1、硅纳米聚合物层2，所述硅纳米聚合物层2在铜丝 1表面，所述铜丝1直径为0.02至0.07mm,所述硅纳米聚合物层2厚度为 5-8um。

进一步的，所述铜丝1在惰性气体氖气保护中拉拔成型。

进一步的，所述铜丝1在经过粗拉及精拉预处理后将硅纳米聚合物附着在铜线表面。

进一步的，所述硅纳米聚合物层2在惰性气体氖气保护下，附着在铜丝表面。

综上所述，本实用新型提供的一种导电及散热性能好硬度低的键合铜线，采用铜线在经过粗拉及精拉预处理后，在其表面附上一层硅纳米聚合物层，使其具有较低的硬度，可有效降低拉制过程中铜线的断线率，提高铜线合格率。外面的硅纳米聚合物层避免了铜线的氧化，硅纳米聚合物优越的导电及导热性能，保证了铜线具有优越的导电及导热性能。

本实用新型提供的一种导电及散热性能好硬度低的键合铜线，应当理解，上述实施例仅为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡是利用本实用新型的内容所作的简单更改和替换，均包括在本实用新型的保护范围内。