[实用新型]一种配置酸料纯化装置的混酸系统

说明书

本实用新型公开了一种配置酸料纯化装置的混酸系统，涉及蚀刻液配置技术领域。本实用新型包括氯化氢原料罐、氟化氢原料罐、硝酸原料罐、第一纯化装置、第二纯化装置、热交换器、混合槽和成品罐，氯化氢原料罐、氟化氢原料罐和硝酸原料罐均通过管道与各自的第一纯化装置的进口固定连接。本实用新型通过设置浓缩系统、第一纯化装置和第二纯化装置，生产原料经第一纯化装置和第二纯化装置二次提纯后，可大大降低有机污染物及颗粒的含量，利用此系统配置高精准的蚀刻液配方，可应用于12吋芯片集成电路产品上，通过设置混合槽、循环管和隔膜泵，使得混合槽内物料的混合效率得到提高，且物料能被混合的更加均匀，从而可提高生产质量。

技术领域

本实用新型属于蚀刻液配置技术领域，特别是涉及一种配置酸料纯化装置的混酸系统。

背景技术

半导体产业包含印刷电路板、光伏、液晶面板、集成电路等等，此产业工艺流程中，常用的电子化学品有氨水、硫酸、双氧水、氯化氢、氟化氢、氟化铵及含氟蚀刻液等，此相关电子化学品主要在集成电路中被使用在湿式制程工艺车间，进行湿式制程工艺，如去光阻、湿式蚀刻和湿式化学清洗是湿式制程车间工艺内最普遍的制程，故又称为湿式化学品。

在上述提到产业中，因不同产业产品规格及其相关工艺，所对应的电子化学品的清洗与蚀刻的纯度也有所不同，电子化学品最高纯度的等级是应用在半导体产业中芯片集成电路、大尺寸集成电路(如12吋芯片)等，电子化学品纯度，其中最重要技术指标是微量金属含量及颗粒数，分别为每个金属微量小于100ppt，每毫升颗粒数大于或等于0.1微米，不得超过500颗，目前的工业级氯化氢、氟化氢、硝酸反应液中颗粒直径大于200纳米，同时反应液中颗粒浓度高于500颗每毫升，不符合技术指标，故在配置蚀刻液时，必须对氯化氢、氟化氢、硝酸进行纯化，以使得制得的蚀刻液颗粒直径小于200纳米，同时颗粒数量小于500颗每毫升。

但是现有的蚀刻液配置用的混酸系统在使用时存在以下不足之处：

1.现有的蚀刻液配置用的混酸系统物料提纯效果不理想，提纯工序单一；

2.现有的蚀刻液配置用的混酸系统各个生产物料混合不够均匀，影响蚀刻液质量。

因此有必要对现有技术进行改进，以解决上述问题。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种配置酸料纯化装置的混酸系统，解决了现有的蚀刻液配置用的混酸系统物料提纯效果不理想，各个生产物料混合不够均匀的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的：

本实用新型为一种配置酸料纯化装置的混酸系统，包括氯化氢原料罐、氟化氢原料罐、硝酸原料罐、第一纯化装置、第二纯化装置、热交换器、混合槽和成品罐，所述氯化氢原料罐、氟化氢原料罐和硝酸原料罐均通过管道与各自的第一纯化装置的进口固定连接，所述第一纯化装置的进口亦通过管道与浓缩系统的出口固定连接，所述第一纯化装置的出口通过管道与第二纯化装置的进口固定连接，所述第二纯化装置的出口通过管道与热交换器的进口固定连接，所述热交换器的出口通过管道与混合槽的进口固定连接，所述混合槽的出口通过管道与成品罐的进口固定连接。

进一步地，所述浓缩系统内的热浓硝酸经管道引入第一纯化装置的上部与原料蒸汽逆流接触，除去有机污染物和含氮副产物及微量金属，一级纯化可引用现有的热浓硝酸，从而可节约资源，提高整个系统的资源利用率。

进一步地，所述第一纯化装置设置为汽提塔。

进一步地，所述第二纯化装置设置为多级蒸发器，该多级蒸发器由四个蒸发器串联而成。

进一步地，所述混合槽的侧面设置有循环管，所述循环管的进口端与混合槽的底部连通，所述循环管的出口端与混合槽的顶部连通，所述循环管上设置有隔膜泵，循环式搅拌能使得混合槽内物料的混合效率得到提高，且物料能被混合的更加均匀。