[实用新型]一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件

说明书

本实用新型公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，包括：硅体；p型硅体，位于硅体内，且上表面与硅体的上表面齐平；栅极设置于所述二氧化硅层上，且位于p型硅体的上方；源极、漏极分别设置于栅极的两侧，位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；p型重掺杂区，设置于硅体内，围绕金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；阳极收集电极，位于所述硅体内，与p型重掺杂区间隔设置且与p型硅体的表面齐平；阴极环，位于硅体内，与阳极收集电极间隔设置且与p型硅体的表面齐平；二氧化硅层，设置于硅体上，与硅体接触；通过刻蚀二氧化硅层露出阴极环、阳极收集电极、p型重掺杂区、源极、漏极。

技术领域

本实用新型属于芯片结构领域，具体涉及一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件。

背景技术

尽管针对硅漂移探测器器件芯片的设计已经有相当多的论文或专利发表，但由于硅漂移探测器本身高分辨率、高灵敏度等特点，其应用范围相当广泛，这也使得科研者与企业对它的兴趣却越来越浓。现有的探测器在进行与前置及后置放大电路的集成时，往往会考虑通过打线或者倒装焊的方式，然而不管哪种方式，只要是加入引线便会使得其电学性能受到不好的影响，

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，用于解决现有技术的缺陷。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，所述硅漂移探测器包括阳极收集电极10、阴极环12，所述金属氧化物半导体场效应晶体管包括栅极4、源极6、漏极6`，所述集成器件包括：

衬底1；

p型硅体2，位于所述衬底1内，且上表面与所述衬底1的上表面齐平；

所述栅极4设置于所述二氧化硅层上，且位于所述p型硅体的上方；所述源极、所述漏极分别设置于所述栅极的两侧，位于所述p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；

p型重掺杂区8，设置于所述衬底内，围绕所述金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；

所述阳极收集电极10，位于所述衬底内，与所述p型重掺杂区8间隔设置且与p型硅体的表面齐平；

所述阴极环12，位于所述衬底内，与所述阳极收集电极10间隔设置且与p型硅体的表面齐平；

二氧化硅层，设置于所述衬底上，与所述硅体接触；通过刻蚀二氧化硅层露出所述阴极环12、阳极收集电极10、p型重掺杂区8、源极6、漏极6`。

可选地，所述p型重掺杂区8部分设置于所述p型硅体2内，另一部分设置于所述p型硅体2外。

可选地，所述源极6为n型重掺杂区，所述漏极6`为n型重掺杂区。

可选地，所述阳极收集电极10为n型重掺杂。

可选地，所述金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET为n沟/p沟增强型或者耗尽型中的任一种。

可选地，所述硅漂移探测器还包括：设置于所述衬底1的下表面的背面电极3。

可选地，所述背极电极3为p型重掺杂电极。

可选地，所述衬底的厚度为100微米至5毫米。

如上所述，本实用新型的一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，具有以下有益效果：