[实用新型]TOF图像传感器像素结构及测距系统有效
申请号: | 202022223695.3 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN212727186U | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 | 申请(专利权)人: | 思特威(上海)电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/341 | 分类号: | H04N5/341;H04N5/359;G01S17/08 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 张媛 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tof 图像传感器 像素 结构 测距 系统 | ||
1.一种TOF图像传感器像素结构,其特征在于,包括第一读取控制模块、第二读取控制模块及至少两个预设尺寸的小光传感器;
所述第一读取控制模块中包括至少两个第一传输晶体管,且所述第一读取控制模块通过所述至少两个第一传输晶体管分别与所述至少两个预设尺寸的小光传感器一一对应连接;
所述第二读取控制模块中包括至少两个第二传输晶体管,且所述第二读取控制模块通过所述至少两个第二传输晶体管分别与所述至少两个预设尺寸的小光传感器一一对应连接;
其中,连接同一个所述小光传感器的第一传输晶体管和第二传输晶体管对称设置。
2.如权利要求1所述的TOF图像传感器像素结构,其特征在于,所述小光传感器包括光电二极管、光栅或光导体中的一种。
3.如权利要求1所述的TOF图像传感器像素结构,其特征在于,
所述第一读取控制模块还包括第一复位晶体管、第一双转换增益控制单元、第一存储电容、第一节点及第一输出单元;
其中,所述第一复位晶体管的第一端连接至电压源,所述第一复位晶体管的第二端通过所述第一双转换增益控制单元耦接于所述第一节点;
所述至少两个第一传输晶体管的第一端分别与所述至少两个预设尺寸的小光传感器的负极一一对应连接,所述至少两个第一传输晶体管的第二端均连接所述第一节点;
所述第一存储电容和所述第一输出单元均与所述第一节点连接;
所述第二读取控制模块还包括第二复位晶体管、第二双转换增益控制单元、第二存储电容、第二节点及第二输出单元;
其中,所述第二复位晶体管的第一端连接至所述电压源,所述第二复位晶体管的第二端通过所述第二双转换增益控制单元耦接于所述第二节点;
所述至少两个第二传输晶体管的第一端分别与所述至少两个预设尺寸的小光传感器的负极一一对应连接,所述至少两个第二传输晶体管的第二端均连接所述第二节点;
所述第二存储电容和所述第二输出单元均与所述第二节点连接。
4.如权利要求3所述的TOF图像传感器像素结构,其特征在于,所述第一输出单元包括第一源极跟随晶体管和第一行选择晶体管,所述第二输出单元包括第二源极跟随晶体管和第二行选择晶体管;
所述第一源极跟随晶体管的第一控制端连接所述第一节点,所述第一源极跟随晶体管的第一端连接所述电压源,所述第一源极跟随晶体管的第二端通过所述第一行选择晶体管连接第一数据输出线;
所述第二源极跟随晶体管的第二控制端连接所述第二节点,所述第二源极跟随晶体管的第一端连接所述电压源,所述第二源极跟随晶体管的第二端通过所述第二行选择晶体管连接第二数据输出线。
5.如权利要求3或4所述的TOF图像传感器像素结构,其特征在于,所述第一节点为第一浮动扩散节点,所述第二节点为第二浮动扩散节点。
6.如权利要求5所述的TOF图像传感器像素结构,其特征在于,还包括电荷平衡单元;
所述电荷平衡单元与所述第一读取控制模块的所述第一浮动扩散节点和所述第二读取控制模块的所述第二浮动扩散节点相连,用于在重置后平衡所述第一浮动扩散节点和所述第二浮动扩散节点的电荷。
7.如权利要求3所述的TOF图像传感器像素结构,其特征在于,所述第一双转换增益控制单元包括第一双转换增益控制晶体管和第一双转换增益电容;
所述第二双转换增益控制单元包括第二双转换增益控制晶体管和第二双转换增益电容。
8.如权利要求7所述的TOF图像传感器像素结构,其特征在于,所述第一双转换增益电容和所述第二双转换增益电容均为寄生电容。
9.如权利要求3所述的TOF图像传感器像素结构,其特征在于,所述第一存储电容为第一双转换增益电容,所述第二存储电容为第二双转换增益电容。
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