[实用新型]一种单晶炉用的热场及其单晶炉

说明书

本实用新型公开了一种单晶炉用的热场及其单晶炉，包括下托盘、上盖盘、坩埚、加热器和导流筒，导流筒的出气端朝向坩埚；热场还包括保温筒，保温筒套设在加热器外，保温筒的下端固定在下托盘，上端固定在上盖盘；保温筒的筒壁内设有多个第一排气管，保温筒内壁开设有进气口，进气口与第一排气管的上端一一对应连通；所述下托盘下方设有支撑环，支撑环下方设有支撑板，支撑板上设有通孔，第一排气管的出气端依次通过通孔、第二排气管连接真空泵进气口；第二排气管上设有电磁阀，能够使热场气流运行顺畅无气旋滞留，消除了各种反应物在炉室内的沉积，不用每次浪费很长时间对热场各部件及炉体的清扫工作。

技术领域

本实用新型属于单晶生长设备技术领域，涉及一种单晶炉用的热场及其单晶炉。

背景技术

集成电路半导体及光伏发电都是国家政策鼓励发展的行业，集成电路半导体材料作为产业综合水平高低的最重要指标，光伏发电作为绿色能源以及人类可持续发展的主要能源，日益受到世界各国的重视并得到大力发展，单晶硅片作为集成电路及光伏发电的基础材料，有着广泛的市场需求。单晶硅棒拉制过程中，单晶炉的热场工艺设计方案对于晶体生长起到至关重要的作用，随着市场需求的增大和新技术的发展，热场的工艺水平提升将成为行业发展的技术保障。

然而，目前热场的废气从炉内保温筒顶部排出至保温筒与炉体之间，然后由保温筒与炉体之间夹层的下端排出，还有一种排气方式，从炉体底部开设排气口，废气直接从保温筒内部由底部的排气口排出，这两种排气方式存在以下问题：

第一种排气方式的废气排出过程中，在保温筒与炉体之间夹层下半部分时，废气温度降低，废气中的反应物经常在炉体内壁和保温筒外壁沉积，第二种排气方式的废气反应物直接在加热器与保温筒内壁沉积，需要花费大量的时间对这些结构件的沉积物进行清扫，清扫困难；二是排气效果差，影响晶体品质，特别是第二种排气方式，排气效果更差，清扫更困难，而且由于排气效果差，导致各种有害物质对加热器造成侵蚀，加速加热器老化，减少热场寿命，还需要人工对热场各结构件进行清扫，花费时间与人力，在清扫过程中，还有可能对热场造成损坏；因此，目前的热场已很难满足大规模工业化生产的需求，并影响以后人工智能与智慧工厂建设的应用。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种单晶炉用的热场，能够使热场气流运行顺畅无气旋滞留，消除了各种反应物在炉室内的沉积，不用每次浪费很长时间对热场各部件及炉体的清扫工作。

本实用新型采取的技术方案如下：

一种单晶炉用的热场，包括下托盘和上盖盘，下托盘和上盖盘之间设有坩埚和加热器，加热器套设在坩埚外，上盖盘上设有导流筒，导流筒包括出气端，出气端朝向坩埚；其特殊之处在于：

所述热场还包括保温筒，保温筒套设在加热器外，所述下托盘固定在保温筒下端，所述上盖盘固定在保温筒上端；

所述加热器和坩埚的高度均低于保温筒的高度，沿保温筒高度方向在保温筒的筒壁内设有多个第一排气管，在加热器和坩埚上部的保温筒内壁开设有与第一排气管数量一致的进气口，进气口与所述第一排气管的上端一一对应连通；

所述下托盘下方设有支撑环，支撑环下方设有支撑板，支撑板上设有通孔，所述第一排气管的出气端穿过下托盘，并通过所述通孔连接第二排气管的进气端，第二排气管的出气端连接真空泵进气口。

进一步地，第二排气管上设有阀门。

进一步地，所述第二排气管上还设有过滤罐，所述阀门位于过滤罐和真空泵之间。

进一步地，所述第一排气管均布。

进一步地，所述保温筒包括石墨层和保温毡层，石墨层套设在加热器外，保温毡层套设在石墨层外，所述第一排气管设置在保温毡层内。

进一步地，所述第一排气管有2个至8个。