[实用新型]晶体生长装置的控制系统和晶体生长装置

权利要求书

1.一种晶体生长装置(200)的控制系统(100)，其特征在于，所述晶体生长装置(200)包括炉体(101)、坩埚(102)和冷却套(103)，所述坩埚(102)设于所述炉体(101)内且限定出盛放空间，所述冷却套(103)设于所述炉体(101)内且适于对晶体(201)进行冷却，所述冷却套(103)位于所述坩埚(102)的上方，且在垂直于所述坩埚(102)中心轴线(102a)的平面上，所述冷却套(103)的正投影位于所述坩埚(102)的正投影的外轮廓内，其中，所述冷却套(103)沿所述坩埚(102)的轴向可移动，

所述控制系统(100)包括：

量测装置(1)，所述量测装置(1)用于获取所述晶体(201)等径生长阶段的直径；

调节装置(2)，所述调节装置(2)用于驱动所述冷却套(103)沿所述坩埚(102)的轴向移动；

控制装置(3)，所述控制装置(3)与所述量测装置(1)和所述调节装置(2)分别通信，且所述控制装置(3)用于根据所述量测装置(1)的反馈控制所述调节装置(2)的状态，其中所述调节装置(2)具有第一状态和第二状态，在所述第一状态下，所述调节装置(2)用于驱动所述冷却套(103)朝向远离所述坩埚(102)的方向移动，在所述第二状态下，所述调节装置(2)用于驱动所述冷却套(103)朝向靠近所述坩埚(102)的方向移动。

2.根据权利要求1所述的晶体生长装置(200)的控制系统(100)，其特征在于，所述调节装置(2)还具有第三状态，在所述第三状态下，所述调节装置(2)不动作。

3.根据权利要求1所述的晶体生长装置(200)的控制系统(100)，其特征在于，在所述第一状态下，所述调节装置(2)用于驱动所述冷却套(103)朝向远离所述坩埚(102)的方向移动第一距离h1，在所述第二状态下，所述调节装置(2)用于驱动所述冷却套(103)朝向靠近所述坩埚(102)的方向移动第二距离h2，其中，h1满足：4.5mm≤h1≤5.5mm，h2满足：4.5mm≤h2≤5.5mm。

4.根据权利要求3所述的晶体生长装置(200)的控制系统(100)，其特征在于，h1＝5mm，h2＝5mm。

5.根据权利要求1所述的晶体生长装置(200)的控制系统(100)，其特征在于，所述量测装置(1)包括CCD光电量测装置(10)。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的晶体生长装置(200)的控制系统(100)，其特征在于，所述调节装置(2)包括：

滑轨，所述滑轨适于设在所述炉体(101)和所述冷却套(103)中的其中一个上；

滑动件，所述滑动件适于设在所述炉体(101)和所述冷却套(103)中的另一个上，且与所述滑轨配合以相对所述滑轨沿所述坩埚(102)的轴向移动；

驱动器，所述驱动器与所述控制装置(3)通信，所述驱动器用于驱动所述滑轨和所述滑动件中的其中一个相对另一个移动。

7.根据权利要求6所述的晶体生长装置(200)的控制系统(100)，其特征在于，所述滑轨包括螺杆，所述滑动件形成为螺母，所述螺母与所述螺杆螺纹配合。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的晶体生长装置(200)的控制系统(100)，其特征在于，所述调节装置(2)的长度可伸缩调节。