[实用新型]一种MBB铜栅半片异质结光伏组件有效
申请号: | 202022257483.7 | 申请日: | 2020-10-12 |
公开(公告)号: | CN213988901U | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 庄辉虎;邹会雷 | 申请(专利权)人: | 福建金石能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0224;H01L31/05 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mbb 铜栅半片异质结光伏 组件 | ||
本实用新型公开了一种MBB铜栅半片异质结光伏组件,所述光伏组件从上到下依次为上层玻璃、上层EVA/POE太阳能封装膜、电池串、下层EVA/POE太阳能封装膜、下层玻璃封装而成,所述电池串由铜栅半片异质结电池通过焊带先串联后并联的方式焊接而成,所述上层玻璃上安装接线盒。本实用新型在不改变现有组件封装设备线体的前提下,可焊性好,电池各位置的焊接拉力一致性好,串联电阻减少,组件在电站使用时,发热量减少,组件发电池增益高,抗隐裂能力强,提升组件可靠性;且是半片封装技术,抗热斑能力也得到改善;MBB铜栅电池组件成本,因采用铜替换了昂贵的银,远低于MBB银栅组件成本,加上制作过程碎片率低,良率高,综合成本更低。
技术领域
本实用新型涉及异质结光伏组件技术领域,尤其涉及一种MBB铜栅半片异质结光伏组件。
背景技术
随着光伏产业化的高度发展,增效降本已成为各企业的首要任务,增效降本的MBB半片组件技术已成为发展趋势;目前行业内多使用,MBB 银浆印刷工艺,使用硅片厚度在170μm以上,MBB半片组件是将整片电池进行二分之一切割,将半片电池先串联后并联方式电路设计,通过叠层、汇流焊接、层压等工序进行封装,封装成要求效果;而本实用新型,使用120μm以下的薄硅片铜栅异质结电池进封装成MBB组件,其发电效率更高,制造成本更低。
常规组件封装过程使用银栅电池,组件封装的银栅电池因采用了较昂贵银浆在硅片上印刷,加上硅片属于易碎品,印刷过程硅片属于受力过程,导致硅片产生暗伤,封装成组件过程,经过焊接电池片也容易破裂;经过层压后还会产生部份隐裂与裂片;银栅电池使用银浆印刷,在制备组件过程,焊带涂锡层与银浆电极焊接效果差,串联电阻升高,光电转换利用率较低;银栅电池因印刷工艺限制,硅片厚度要求高,硅片厚度成为成本降低瓶颈。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型提供了一种抗隐裂能力强,碎片率低,良率高,综合成本更低的MBB铜栅半片异质结光伏组件。
为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:一种MBB铜栅半片异质结光伏组件,所述光伏组件从上到下依次为上层玻璃、上层 EVA/POE太阳能封装膜、电池串、下层EVA/POE太阳能封装膜、下层玻璃封装而成,所述电池串由铜栅半片异质结电池通过焊带先串联后并联的方式焊接而成,所述上层玻璃上安装接线盒。
进一步的,所述铜栅半片异质结电池采用厚度为90-120μm MBB铜栅整片异质结电池二分之一切割。
进一步的,所述电池串每串由10-14片先串联后并联的方式进行焊接。
进一步的,所述电池串焊接采用圆焊带或三角涂锡焊带。
由上述对本实用新型结构的描述可知,和现有技术相比,本实用新型具有如下优点:
本实用新型在不改变现有组件封装设备线体的前提下,MBB铜栅组件封装过程可焊性好,电池各位置的焊接拉力一致性好,串联电阻减少,组件在电站使用时,发热量减少,组件发电池增益高,在面反射高的场合双面发电增益达25%,搭配MBB铜栅90μm超薄铜电池,柔韧性更好,其细栅线为电镀铜制作,在起到电流收集作用的同时,又能对电池起更好的保护作用,抗隐裂能力强,提升组件可靠性;且是半片封装技术,抗热斑能力也得到改善;MBB铜栅电池组件成本,因采用铜替换了昂贵的银,远低于MBB银栅组件成本,加上制作过程碎片率低,良率高,综合成本更低。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
图1为本实用新型一种MBB铜栅半片异质结光伏组件结构示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的