[实用新型]一种态密度耦合半导体激光器

权利要求书

1.一种态密度耦合半导体激光器，其特征在于：其包括衬底，以及在所述衬底上依次生长的缓冲层、下波导层、多周期量子阱层、多周期量子点层、上波导层、包层和接触层，所述多周期量子阱层的每个周期包括一个量子阱层和在所述量子阱层上生长的一个量子垒层，所述多周期量子点层的每个周期包括一个量子点层和在所述量子点层上生长的一个盖层。

2.根据权利要求1所述态密度耦合半导体激光器，其特征在于：所述多周期量子阱层的周期数为1-5。

3.根据权利要求1所述态密度耦合半导体激光器，其特征在于：所述多周期量子点层的周期数为1-10。

4.根据权利要求1所述态密度耦合半导体激光器，其特征在于：所述多周期量子阱层中的量子阱基态能级态密度分布和所述多周期量子点层中的量子点基态能级态密度分布存在交叠部分。

5.根据权利要求4所述态密度耦合半导体激光器，其特征在于：所述多周期量子阱层所发出光子的能量处于所述多周期量子点层的基态能级态密度分布范围之内。

6.根据权利要求5所述态密度耦合半导体激光器，其特征在于：所述多周期量子阱层和多周期量子点层之间不存在载流子隧穿。

7.根据权利要求1所述态密度耦合半导体激光器，其特征在于：所述多周期量子阱层和多周期量子点层的各周期之间不存在位置交替。

8.根据权利要求7所述态密度耦合半导体激光器，其特征在于：所述多周期量子阱层和多周期量子点层之间的距离不小于10纳米。