[实用新型]一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置

权利要求书

1.一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置，其特征在于，所述装置包括：

坩埚，所述坩埚的上方和下方均设置有电子束发射机构，所述电子束发射机构用于向坩埚发射电子束；

石墨板，所述石墨板设置在坩埚内部，且沿坩埚的轴向延伸，所述石墨板上开设有多个安装槽，所述安装槽用于放置碳化硅衬底。

2.根据权利要求1所述的在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置，其特征在于，所述石墨板上沿安装槽周围设置有环形槽，所述环形槽侧壁开设有与安装槽连通的螺纹通孔，所述螺纹通孔处设置有螺钉。

3.根据权利要求1所述的在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置，其特征在于，所述安装槽的尺寸略大于碳化硅衬底的尺寸。

4.根据权利要求1所述的在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置，其特征在于，所述坩埚两侧的内侧壁上均设置有凹槽，所述石墨板两侧沿长度方向插入到凹槽内部。

5.根据权利要求1所述的在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置，其特征在于，所述装置还包括旋转机构，所述坩埚设置在旋转机构上，所述旋转机构带动坩埚转动。

6.根据权利要求5所述的在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置，其特征在于，所述旋转机构包括托盘、支架和动力输出结构，所述坩埚设置在托盘上，所述托盘的底部固定连接支架，支架的末端连接动力输出结构。

7.根据权利要求1所述的在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置，其特征在于，所述装置还包括炉体，所述炉体内部形成炉体腔室，所述炉体两端设置有上盖和下盖；

所述坩埚设置在炉体腔室内；

所述电子束发射机构穿过上盖和/或下盖延伸至炉体腔室内。

8.根据权利要求7所述的在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置，其特征在于，所述上盖设置有第一观察窗，所述下盖设置有第二观察窗；

所述第一观察窗和第二观察窗处均设置有测温装置。

9.根据权利要求7所述的在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置，其特征在于，所述炉体外周设置有加热线圈，

所述下盖设置有抽气孔和惰性气体进气孔。

10.根据权利要求1所述的在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置，其特征在于，所述电子束发射机构为电子束加热器，所述安装槽的数量为2～6个。